SiC材料

。LED产业主要原辅料有衬底材料(高纯Al2O3、GaAs/蓝宝石/SiC衬底)、MO源、高纯气体、光刻胶、金/银线、荧光粉、封装胶、环氧树脂等。目前，本土企业几乎可生产全部原辅料产品，但在高端原辅料
索比光伏网讯:2013年2月27日，工业和信息化部发布《关于开展工业强基专项行动的通知》，正式启动实施工业强基专项行动。其中，提升关键基础材料发展水平成为此次专项行动重中之重。此举正是针对目前我国

特别突出。采用新材料技术(如SiC等)的功率器件，由于其具有转换效率高、集成度高、温升小的特点，将会有很好的发展前景。另外由于锂电池等新型储能设备在电动汽车中的广泛应用，和电池监控系统配套的半导体厂商也

GaAs类元件、GaN类元件及SiC类元件等。宇宙光伏发电系统使用相控阵天线（PhasedArrayAntenna）向地面发送放大的微波。相控阵天线是气象雷达及飞机雷达等采用的技术，将多个小型天线排列在
系统看到了实用化的曙光，但仍有很多问题需要解决（图4）。比如，需要建造长数百米～1km的宇宙天线。在太空建造如此巨大的结构体可以说是史无前例注1）。需要开发结构设计及材料等方面的新技术。此外，安全性和建造

磁控管。这是因为其构造简单，可以输出高效率微波。而且，宇宙天线可利用放大器将发生器产生的微波传送至天线。放大器考虑使用可高频运行的GaAs类元件、GaN类元件及SiC类元件等。 宇宙
，但仍有很多问题需要解决（图4）。比如，需要建造长数百米～1km的宇宙天线。在太空建造如此巨大的结构体可以说是史无前例 注1）。需要开发结构设计及材料等方面的新技术。此外，安全性和建造时的运输成本也是

，制备出了7英寸石墨烯触摸屏，该触摸屏具有柔性、高透光率、无偏色、成本低等优点。近年来，石墨烯作为一种新型的柔性透明电极材料得到广泛认同，具有十分优异的力、热、光、电等性质。但是，要将石墨烯应用于透明
电极，大面积、高质量石墨烯的制备和快速高效转移是首先要解决的两大关键问题。据了解，迄今为止制备石墨烯的方法主要有微机械剥离法、SiC热解外延生长法化学气相沉积法（CVD）、化学氧化还原法等。其中，最具

继续负责所有中央工程支持服务以及业务开发和产品管理。首席技术官P.S. Raghavan博士将继续领导碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）应用技术的开发。GTAT还强调，HiCz多晶硅产品最终的开发及测试
活动将迁移至其新罕布尔州梅里马克厂，并且其位于圣路易斯的HiCz材料试验制造厂将闲置，将损失约三十五个工作岗位。该公司重申，其正在寻找一个战略合作伙伴以收购圣路易斯的运营，并支持其未来推出的HiCz

第二批金太阳示范工程的申报材料，这意味着全国范围内的第二批金太阳示范工程即将启动，仍将扩容。虽然，该工程接下来仍会扩容，但很多开发商目前正苦于找屋顶，热中有忧。此外，之前盛传的所谓度电补贴也由于种种原因
环境评估机构（SEA）审核的太阳能发电项目装机量有1.29GW。绝大部分太阳能项目计划并入国家北部电网（SING），约有2.9GW。另外，有400MW的项目计划并入中央电网（SIC）。　　点评：SIC

领导公司在碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)，以及其他新兴晶体技术领域日益扩大的重点业务，充分利用极特先进科技公司的核心能力，为公司的多元化战略提供支持。 Gutierrez最后总结说：这些举措的目的是
和硅晶体生长系统以及相关材料的全球领先供应商，服务于太阳能、LED和其他专业市场。公司的产品和服务帮助客户优化制造环境并降低运营成本。如欲了解更多有关极特先进科技公司的信息，请访问www.gtat.com。

刻蚀剂，与硅反应后生成具有挥发性的SiF4，后面还将详细介绍。5.1.2刻蚀技术的分类及特点刻蚀是采用化学或物理的方法，有选择地从半导体材料表面去除不需要材料的过程。通常刻蚀技术分为湿法腐蚀和干法刻蚀
两种。1.湿法腐蚀湿法腐蚀是通过化学溶液与被刻蚀材料发生化学反应而去除被刻蚀物质的方法。湿法刻蚀的特点是各向同性，但会因存在侧向腐蚀而产生底切现象，从而导致线宽失真，特别是微细线条的刻蚀更为困难，因此

孤岛效应"测试等各种新规范。在对硅基MOSFET等新材料的要求方面，SiC技术在碳化物领域发生了显著的改变，使得MOSFET(金氧半场效晶体管)的生产能力远超出了相类似的硅绝缘栅双极型晶体管
。新的标准在各种程度上对光伏逆变器提出了不同的要求：对效率、成本及稳定性等关键特征的发展;与碳化硅、氮化镓等新材料的兼容性;与微型逆变器等创新型技术的整合;有效的最大功率点跟踪控制功能;以及遵循如"反