SE工艺

%。单元面积为1cm见方。CZTSe类太阳能电池不使用铟(In)和镓(Ga)等稀有金属，因此比CIGS类太阳能电池更容易提高产量，而且有望以低成本生产。出于同样的目的，以硫(S)代替硒(Se)的
单元。此次的CZTSe类单元为多结晶型。具体制作方法是，在玻璃基板上形成钼(Mo)薄膜后，用溅射法层积铜、锌和锡。然后在硒化氢(H2Se)气体中退火。CZTSe层的厚度约为1m，多结晶的粒径也为1m左右

，受制于转换效率提高幅度有限和产业化生产成本增加较大等因素，包括选择发射极（SE）、钝化发射极背面电池（PERC）和金属穿孔卷绕电池（MWT）在内的新型高效电池技术还没能广泛取代改良金属浆料细栅线
来源于半导体产业，受到其深刻的影响，光伏产业高速发展期急需的高端制造业运营、管理人才、科研人才、有经验的工艺、设备工程师大都来自半导体产业；二是两者产业链较长，涉及上下游的原材料、设备、制造和应用配套

、为可替代材料而采用的两次印刷技术、以及为促进更好的产量和良率而进行的设备开发已经上马。从长期而言，得可太阳能也将致力于为诸如金属贯穿孔技术（MWT）和选择性发射极（SE）等新兴电池架构的高效率工艺
作为太阳能金属化技术和工艺的全球领袖，得可太阳能继续展示公司为光伏创新所做的贡献，5月17日，得可最先进的中国苏州技术中心迎来四方宾客,庆祝开业盛典。 苏州技术中心旨在支持客户

发射极（SE）等新兴电池架构的高效率工艺提供解决方案，以及其他应用例如LED和印刷型电子产品得可的知识基础能够为促进这些领域的高产量和高精度运行。 得可在太阳能市场拥有悠久的工艺

下维持最佳工艺控制所有都是实时的以最大化产量并且动态提高良率。在NEPCON中国展上还将连线Horizon APiX与CyberOptics SE500 Ultra焊膏检测（SPI）系统现场演示
通过其伙伴展示的所有展品都突出了公司的工艺促进技术，这些技术旨在推动生产力、最大化产量、提高良率并使灵活性成为可能。 吉创 1B70展位将展出Horizon 03iX平台，强调通过

)硅片上进行的。钝化后，在硅片上用电子束蒸发和剥离(lift-off)工艺制作直径200m的Al圆点。重要的是，钝化后的溅射工艺要缓和，因为溅射淀积能破坏钝化层。图2说明确定Se钝化n型Si(100

较大等因素，包括选择发射极(SE)、钝化发射极背面电池(PERC)和金属穿孔卷绕电池(MWT)在内的新型高效电池技术还没能广泛取代改良金属浆料细栅线印刷技术大规模应用。大部分一线电池、组件制造商都在与
，光伏产业高速发展期急需的高端制造业运营、管理人才、科研人才、有经验的工艺、设备工程师大都来自半导体产业;二是两者产业链较长，涉及上下游的原材料、设备、制造和应用配套企业众多;三是两者都是社会发展的战略

控制原材料采购成本和精益生产，保证制造成本低于售价。至于技术的提升，受制于转换效率提高幅度有限和产业化生产成本增加较大等因素，包括选择发射极(SE)、钝化发射极背面电池(PERC)和金属穿孔卷绕电池
同属高科技产业，光伏产业的基础原材料、核心设备和运营管理模式均来源于半导体产业，受到其深刻的影响，光伏产业高速发展期急需的高端制造业运营、管理人才、科研人才、有经验的工艺、设备工程师大都来自半导体产业

，包括选择发射极（SE）、钝化发射极背面电池（PERC）和金属穿孔卷绕电池（MWT）在内的新型高效电池技术还没能广泛取代改良金属浆料细栅线印刷技术大规模应用。大部分一线电池、组件制造商都在与领先的材料
的高端制造业运营、管理人才、科研人才、有经验的工艺、设备工程师大都来自半导体产业；二是两者产业链较长，涉及上下游的原材料、设备、制造和应用配套企业众多；三是两者都是社会发展的战略支柱产业，产品涉及能源

系列太阳能电池中，单晶硅大阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟。高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关的成热的加工处理工艺基础上的。现在单晶硅的电地工艺己近成熟，在电池制作中，一般都采用表面织
构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率主要是*单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。在此方面，德国夫朗霍费费莱堡太阳能系统研究所保持着