PECVD

发射结降低表面复合速率，再用PECVD沉积SiNx形成减反膜。正面光刻工艺开槽后用蒸镀方法形成Ti/Pb/Ag金属电极，背面利用激光掺杂技术形成局部背场，如图7所示。其工艺特点是先在背面PECVD法生长
=650.3mV，Jsc=39.6mA/cm2，FF=80.63%），电池结构如图9所示。其在普通化学制绒的N型Si片上，通过硼磷管式共扩散制备正面P型发射结和N型背面，然后通过PECVD技术在前后表面制备钝化

面，在其上有一极薄的氧化隧道层，Al电极倾斜蒸镀于沟槽的侧面，然后利用PECVD蒸镀氮化硅作为钝化层和减反射膜。　　图7（a）OECO电池结构OECO电池具有高效性的原因包括：几乎是无遮挡的表面。由于
打开背面接触，真空蒸镀Al作为背电极前表面低温热氧化形成氧化隧道层前表面无需掩膜直接倾斜蒸镀Al作为面电极使用导电胶将各个面电极连接起来采用PECVD法在前表面蒸镀氮化硅作为钝化和减反射层（2）背接触

设备PECVD换成CIGS薄膜沉积系统，补齐其他工艺设备，若量产化技术达到硅薄膜电池产业化成熟度，其组件成本将会大大低于晶硅电池，如果销售价格与与晶硅电池相同，其产线的利润将会十分丰厚。由此可见

在话下。如果将硅薄膜电池产线的核心设备PECVD换成CIGS薄膜沉积系统，补齐其他工艺设备，若量产化技术达到硅薄膜电池产业化成熟度，其组件成本将会大大低于晶硅电池，如果销售价格与与晶硅电池相同，其产线的利润

平板式PECVD、离子注入机、刻蚀机、原子层沉积镀膜设备（ALD）等关键工艺设备研发领域均有入围。《产业关键共性技术发展指南（2015年）》指出，产业关键共性技术是能够在多个行业或领域广泛应用，并对

等离子体加强化学气相沉积（PECVD）的65nm厚的SiNx层。首先在硅片表面制作氧化层掩膜留出2*2cm2的窗口。通过RIE使用SF6/O2在120℃条件下刻蚀硅片窗口位置7分钟制作黑硅。图2a显示
，背面通过PassDop工艺进行钝化。PassDop工艺包括PECVD沉积磷掺杂非晶SiCx：H层，在钝化层表面激光开槽形成接触点。激光开槽后，在接触点位置磷扩散形成局部背表面场。在硅片背面烝镀铝形成背面

、泰国等近百位海外嘉宾前来参会观展。无锡先导作为国内最大的光伏自动化设备专业制造商，受邀参加本届展会。现场展出的太阳能电池片高速串焊机、管式PECVD自动上下料机凭借领先的性能优势、可靠的技术稳定性，吸引了国内外客户的关注。

索比光伏网讯:瑞士PECVD设备初创公司INDEOtec将向一家美国研究机构提供其Octopus II 系统，计划在2016年一季度出货，这将是INDEOtec向全球实验室售出的第五套Octopus

在2%的HCl和10%的HF中去除金属离子、杂质、氧化层。在825℃条件下，使用POCl3扩散。然后边缘刻蚀，在体积分数10%的HF溶液中去除磷硅玻璃。采用等离子体增强化学气相沉积法 (PECVD)沉积