P型晶体硅电池
5B. 选择性发射极电池 对晶体硅电池而言，提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于P型晶体硅电池的扩散层是N型导电层，使用目前的SiNx减反射薄膜内带有固定正电荷
发射极的优势越来越小，个别选择性发射极技术如硅墨技术、激光选择性发射极逐渐被淘汰出局。 对晶体硅电池而言，提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于P型晶体硅电池的扩散层是N型
出局。对晶体硅电池而言，提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于P型晶体硅电池的扩散层是N型导电层，使用目前的SiNx减反射薄膜内带有固定正电荷，能够起到良好的场钝化效果，使用
电池技术的研究进展
图1 天合光能最新产业化IBC电池效率分布图
2 IBC电池结构及工艺技术
IBC电池的常见结构如图2所示。在高寿命的N型硅片衬底的背面形成相间的P
排列的P区和N区，以及在其上面分别形成金属化接触和栅线。对扩散而言，炉管扩散是目前应用最广泛的方法。普通太阳电池的扩散只需在P型衬底上形成N型的扩散区，而IBC电池既有形成背面N区（BSF）的磷扩散
太阳能光伏发电是新能源的重要组成部分，近年来在国内外受到了高度重视并迅速发展。光伏发电的核心技术晶体硅电池技术也在取得持续进步。钝化发射极及背局域接触电池（PERC）最早是由新南威尔士大学研发的
，由于对电池进行了双面钝化，背面电极采用局域接触的形式，有效地降低了表面复合，减少了电池的翘曲断裂。另外，对电池背面进行了抛光处理，提高了对长波的吸收。PERC电池制作流程如图1所示。目前，国内晶体硅电池
原因主要为人为操作不规范导致的，1）人为的擦片破坏Si3N4膜面，使Si3N4钝化效果失效；2）绒面凸起部分在人为摩擦过程中极易受损，使电池片p型裸露，印刷后直接与金属电极导通发生短路；3）即使擦片后
多晶铸锭的质量很大程度上可以影响晶体硅电池片的质量。随着晶体硅电池利用的日益广泛，晶体硅太阳电池局部漏电问题逐渐受到人们的关注与重视。因此晶体硅电池漏电原因的分析与讨论成为晶体硅电池研究的热点之一。在晶体硅
过程中形成玻璃态造成的大面积漏电。
造成擦片漏电的原因主要为人为操作不规范导致的，1)人为的擦片破坏Si3N4膜面，使Si3N4钝化效果失效;2)绒面凸起部分在人为摩擦过程中极易受损，使电池片p型
分为两种，一种是将圆柱形的单晶硅棒切割成单晶硅片;一种是通过铸锭方式生成多晶硅片。单晶硅棒和多晶铸锭的质量很大程度上可以影响晶体硅电池片的质量。随着晶体硅电池利用的日益广泛，晶体硅太阳电池局部漏电问题
都是太阳能通过二次或多次转换而来。唯有光伏转换，是直接通过太阳的辐射将太阳能转换为电能。其发电原理为：在阳光的照射下，半导体硅片内产生电子--空穴对；在P型硅和N型硅形成的PN结的内建电场作用下，空穴
隐裂的形状，可分为5类：树状裂纹、综合型裂纹、斜裂纹、平行于主栅线、垂直于栅线和贯穿整个电池片的裂纹。 图1：晶硅电池隐裂形状 2、隐裂对组件性能的影响 不同的隐裂，对电池片功能造成的影响是不一样
施加电压，半导体中的内部电场将被削弱，N区的电子将会被推向P区，与P区的空穴复合（也可理解为P区的空穴被推向N区，与N区的电子复合），复合之后以光的形式辅射出去，即电致发光。 当被施加正向偏压之后
，可分为5类：树状裂纹、综合型裂纹、斜裂纹、平行于主栅线、垂直于栅线和贯穿整个电池片的裂纹。图1：晶硅电池隐裂形状2、隐裂对组件性能的影响不同的隐裂，对电池片功能造成的影响是不一样的。先来看一张电池片的
状态，电子和空穴的数量相对保持稳定。如果施加电压，半导体中的内部电场将被削弱，N区的电子将会被推向P区，与P区的空穴复合（也可理解为P区的空穴被推向N区，与N区的电子复合），复合之后以光的形式辅射出去
