N型钝化接触电池

超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，二者共同形成了 钝化接触结构，该结构为硅片的背面提供了良好的表面钝化，超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅 层同时阻挡少子空穴复合提升了电池的开路电压和

、薄膜电池产品，支持等离子钝化技术、低温电极技术、全背结技术、专用吸杂工艺等先进技术研究与应用;鼓励金属穿孔卷绕背接触技术(MWT)、N型双面(BiFi)吸光技术等高效晶硅电池规模化生产;引导企业开展

） 中来主推的Niwa系列高效组件共发布了3款产品，Niwa Max和Niwa Super配备的是全球首创J-TOPCon2.0半片电池技术，是基于新一代隧穿氧化层和掺杂非晶硅沉积的钝化接触技术制造

。 ▲薄硅片，HJT与MWT不谋而合，挑战120m极限 如图(1)和(2)所示，常规HJT异质结电池基本是一个对称结构，N型硅片两边有1-2nm的本征非晶硅隧穿钝化层，P型掺杂非晶硅作为发射极

以异质结和TOPCon为代表的钝化接触电池继续提效（Fraunhofer ISE 相关数据显示TOPCon实验室效率已提升至26.0%），未来PERC市场份额将开始逐步降低，而异质结和TOPCon将
最终成本受良率影响较大。在技术选择方面，对于选择N型还是P型，前结还是背结等问题都需要考量。 对于PERC、TOPCon、异质结的未来发展，倪志春总结： PERX将Al-BSF替换为B-BSF

功率。 光伏电池片的现有技术路线多且复杂，除了主流的单晶硅PERC电池，使用上一代电池技术的BSF电池也有一定用量，而新一代N型电池同样在快速崛起，被认为有望接替PERC电池成为下一代主流产品。 在半导体硅

，工艺提升与成本下降潜力大 IBC电池工艺流程相对复杂，核心要解决制备指状间隔排列的PN区，金属化接触和栅线的问题。重点工艺包括扩散掺杂、钝化镀膜及金属化栅线这几方面： 1) 钝化镀膜。前表面场N

PERC电池，使用上一代电池技术的BSF电池也有一定用量，而新一代N型电池同样在快速崛起，被认为有望接替PERC电池成为下一代主流产品。 在半导体硅中掺入其它元素，增加大量自由电子，使半导体主要靠电子