N型钝化接触电池

10月15日，中来对外宣布其最新研发结果出炉，基于新一代隧穿氧化层和无绕镀原位掺杂非晶硅沉积的钝化接触技术制造的J-TOPCon 2.0电池，其量产平均效率可以实现24%以上，良率达到97%以上
制造技术推向一个新的高度。我们愿意一起跟同行分享这个新技术，为高效太阳能电池的生产普及做贡献。 中来TOPCon 1.0制造工艺和技术是基于N 型硅片，通过隧穿氧化层和掺杂

太阳电池组件关键技术及产业化项目获得了科学技术奖一等奖。 天合光能副总经理、光伏科学与技术国家重点实验室主任冯志强(右一)代表公司上台领奖 天合光能研发的高效晶体硅N型双面太阳电池

与分享。金辰集团陈晖博士进行了管式PECVD制备钝化发射极-背钝化接触高效太阳电池技术及装备的主题演讲，获得现场高度称赞。 美食来袭 逛逛吃吃 逛展是最消耗体力的，来过的小伙伴都知道，新

HOT2.0高效电池技术，通过HOT隧穿层钝化接触和先进金属化等技术的开发导入，电池效率高达24.79%，再度创下大面积N型单晶硅单结电池效率的世界纪录;采用78片设计，延续叠焊技术，告别电池片间隙，显著

取得了重大突破。此次破纪录的太阳电池采用了大面积(267.72 cm2)直拉N型单晶硅片，通过高品质扩散、低表面复合钝化、高效陷光以及HOT隧穿层钝化接触等多项创新技术及先进材料应用，实现了效率的

相对P型晶硅电池，N型晶硅电池的少子寿命高，无光致衰减，弱光效应好，温度系数小，是晶硅太阳能电池迈向理论最高效率的希望。 TOPCon是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触(Tunnel

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，但背面开槽处金属接触区域增加额外的复合电流;N 型电池技术路线繁多，其中 N-PERT 是 P-PERC 技术的改进型，在形成钝化层基础上进行全面的扩散，加强钝化层效果;TOPCon 在电池表面

形成金属化接触和栅线。对扩散而言，炉管扩散是目前应用最广泛的方法。普通太阳电池的扩散只需在P型衬底上形成N型的扩散区，而IBC电池既有形成背面N区(BSF)的磷扩散，还有形成PN结的硼扩散，即在N型衬底