N型钝化接触电池

太阳能电池以及PVD工艺高转化率硅片太阳能电池，其中硅片涂覆型太阳能电池的生产不使用溅射靶材，目前靶材主要用于太阳能薄膜电池领域，而HIT作为PERC(钝化发射极及背局域接触电池)未来的替代技术，有望实现

不断发展，电池效率已逐渐接近瓶颈。与之相比，N型硅片具有较长的少子寿命、更小的光致衰减，公认未来高效光伏电池发展将切换到N-Topcon、HJT等N型电池方向。 基于N型硅片的异质结电池

百花齐放：PERC 技术已成主流并处在持续推进工艺升级 的过程当中，TOPCon 将背接触钝化镀膜思想和技术引入太阳能电池的生产制造环节，可在 N 型和 P 型两类衬底上 使用，为降低终端 LCOE

，是目前市场主流产品。 PERC激活P型潜力，效率提升明显。PERC技术通过将电池背表面介质膜钝化，采用局域金属接触，实现背表面电子复合速度的降低以及提高光反射，从而提升发电效率。在

分别为22.80%和22.28%)。 值得注意的是，此次阿特斯创下转换效率新纪录的电池是基于铸锭单晶或是类单晶的。157mmx157mm(面积246.44cm2)N型P5硅片和PASCon(钝化接触) 技术，共同使阿特斯创造出23.81%的新的多晶电池转换效率世界纪录。

四面体结构，晶体中多了1 个氧的负电荷，可将p 型电池的少子( 电子) 反射回去减少复合，实现电池背面的有效钝化。 峰值温度过高将导致Al-O4减少，氧化铝浆料烧结温度通常低于金属化烧结温度，介质

产线上升级改造，可延续存量产能使用寿命 TopCon 电池：基于N 型硅衬底，前表面采用叠层膜钝化工艺，背表面采用基于超薄氧化硅和掺杂多晶硅的隧穿氧化层钝化接触结构，可双面发电。得益于超薄氧化硅和掺杂

太阳电池采用了大面积工业级磷掺杂的直拉N型硅片衬底，集成超薄隧穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术，利用量子隧穿效应和表面钝化，实现面积为244.62平方厘米的电池正面光电转换效率达到24.58%。该结果

型? -n型电池技术未来将更快进入市场 欺骗公告使投资决策变得困难 钝化接触、HJT目前看来还不够成熟 当Voc约为700mV、效率23%的时候，低成本效用规模的标准n型技术将可能会出现。

的复合速率(即钝化接触)是光伏电池提效的重要研究和产业化方向。 常见电池结构大多受钝化思路影响：良好的钝化接触可以在最大化降低接触表面的载流子负荷速率的同时保持电池较好的电学性能，近年来产业中常