N型钝化接触电池

单硅组件正在取代多晶硅组件，成为主流; 组件越来越多地使用先进的电池架构，例如PERC(钝化发射极后电池)、IBC(交叉背接触)、异质结(HJT)技术及双面电池技术; 大硅片(158毫米及以上)和

会重新被吸收，并且可能永远不会到达发射层，这只会导致组件发热。 PERC电池与常规电池最大的区别在背表面介质膜钝化，采用局域金属接触，大大降低被表面复合速度，同时提升了背表面的光反射。PERC技术

了260MWp，大规模生产的平均电池效率为22.8%。 技术开发 从图1中可以看到，SHJ电池的结构非常简单，并且仅需要6道工艺制造步骤。通常，SHJ电池由n型c-Si硅片制成，该硅片在两侧涂覆有薄的本

LPCVD是TOPCon 工艺技术的升级所需要的核心设备，TOPCon 作为PERC电池片技术的延伸，已成企业竞相布局的高效电池片技术路线之一。 目前中来光电已具有2.4GW的N型单晶双面钝化金属接触

技术成果，采用了158.75mm158.75mm的多晶硅片，整合了低表面复合设计、背面局部钝化、点接触技术、正面多层减反射设计等多项电池新技术，推升开路电压Voc达到0.6859V，同时结合先进的金属化

12月10日，第四届N型晶硅电池与钝化接触技术论坛在江苏拉开帷幕。作为国内率先实现异质结技术量产的制造商，晋能科技HJT研发总监王继磊受邀出席并就《超过24%转换效率的超高效异质结电池量产技术》做了

。 异质结电池能否以P型硅片作衬底?理论上可以，但实际生产中普遍使用N型硅片： P型硅片少子寿命低，输出性能弱于N型。 P型硅片能带匹配度不如N型。 N型硅片更容易钝化，钝化以提高开路

主要集中在晶体硅电池的发射极及背电极钝化技术(PERC)、异质结技术(HIT)、叉指背接触技术(IBC)、电极绕通背接触技术(MWT)，以及硅片的黑硅、n 型技术。但是由于电池的产业化要求和工艺

主要集中在晶体硅电池的发射极及背电极钝化技术(PERC)、异质结技术(HIT)、叉指背接触技术(IBC)、电极绕通背接触技术(MWT)，以及硅片的黑硅、n 型技术。但是由于电池的产业化要求和工艺

高掺杂的多晶硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，可以使N型电池量产效率超过24%，极致可达28.7%，已成为下一代产业化N型高效电池的切入点。目前，行业里已有金辰股份(603396.SH)等多家上市公司