ISFH钝化接触硅太阳能电池

产线上升级改造，可延续存量产能使用寿命 TopCon 电池：基于N 型硅衬底，前表面采用叠层膜钝化工艺，背表面采用基于超薄氧化硅和掺杂多晶硅的隧穿氧化层钝化接触结构，可双面发电。得益于超薄氧化硅和掺杂多晶硅

打破的第20项世界纪录。 此次破纪录的太阳能电池应用了天合光能自主研发的i-TOPCon高效电池技术，主要采用了超薄遂穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术，利用量子遂穿效应和表面钝化大幅提高太阳电池的

做了非常深入的研究。该研究所的研究表明采用氧化硅作为钝化层+多晶硅作为载流子选择性接触材料，是能取得潜在最高效率的组合。2016年，ISFH制备的N型POLO-IBC太阳能电池效率达到24.25

极上使用钝化电子选择n +型多晶硅氧化(POLO)触点，在正接触极上使用孔选择P+型POLO触点。 POLO触点的高选择性是实现高效率的一个关键因素，背部叉指模式使用了这种触点，能够最大限度地减少

层对光的吸收，电流有所损失，因此将钝化接触用在正面无遮挡的背接触设计中就成为了一个两全齐美的解决方案。日本钟化公司正是采用异质结背接触技术取得了目前单晶硅电池的世界最高效率。此次ISFH效率达到

抛光。 钝化膜 硅片内部和硅片表面的杂质及缺陷会对光伏电池的性能造成负面影响，钝化工序就是通过降低表面载流子的复合来减小缺陷带来的影响，从而保证电池的效率。 晶硅太阳能电池的表面钝化一直是设计和