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开发多样化的光伏器件架构对提升光电转换效率（PCE）及实现与其他光伏材料的高性能叠层集成至关重要。尽管n-i-p结构在PbS胶体量子点（CQD）太阳能电池发展中占主导地位，但p-i-p结构的效率长期滞后，限制了其进一步发展。
离子迁移是阻碍金属卤化物钙钛矿X射线探测器性能与稳定性的普遍问题。所制备的FAPb.Sn.I单晶显示出高达0.95eV的离子迁移活化能，明显高于铅基钙钛矿晶体。本研究首次报道了基于Pb-Sn单晶的X射线探测器，展示了其在抑制离子迁移和暗电流方面的潜力，有望推动稳定、低剂量X射线检测的发展。高离子迁移活化能与低暗电流：FAPb.Sn.I单晶的离子迁移活化能高达0.95eV，暗电流密度低至0.75nAcm，电流漂移极小，优于铅基钙钛矿探测器。
本研究重庆大学凌旭峰、苏州大学马万里和袁建宇等人采用功能化偶极分子在钙钛矿/电子传输层界面实现强化接触钝化。此外，-CF的疏水性和强化接触钝化还提升了器件的存储与运行稳定性。该研究揭示了界面偶极分子结构对增强接触钝化和调控载流子动力学的重要性。文章亮点偶极工程突破效率瓶颈：通过-CF功能化偶极分子构建垂直排列的强偶极层，将p-i-n型PSCs效率提升至25.83%，Voc达1.176V，FF达0.847。
科学家们发现，在钙钛矿层顶部加工的特定材料组合能够通过使用碳顶部电极有效地制造和运行p-i-n钙钛矿太阳能电池。长期以来，p-i-n器件中碳电极和金属电极的电子接触行为差异一直被忽视，并可能阻碍了该领域向碳基电极材料p-i-n器件方向的进展。为了克服这些问题，科学家们引入了一种双层原子层沉积氧化锡和聚-聚，可与p-i-n堆栈中的碳电极进行欧姆接触。这产生了高达16.1%的PCE，并在户外老化500小时后保持了94%的性能。
研究院联合东南大学，针对n型异质结电池和组件的紫外稳定性进行了深度机理性的研究，开发了低紫外损伤连续PECVD
工艺，通过优化i1钝化层氢含量达33%(
a-Si0x:H)i2钝化层氢含量达
首创“低紫外损伤连续PECVD沉积”工艺团队开发低紫外损伤连续PECVD沉积技术(专利号已申请)，在界面层植入“氢原子防护网”：● 首创梯度氢含量设计：i₁层(a-SiOₓ:H)氢含量33% → i₂层
6的TRPL光谱。h)BO-4Cl纯膜和具有不同10%低聚物共混物膜的BO-4Cl的PL光谱。i)BO-4Cl纯膜和具有不同10%低聚物共混物膜的BO-4Cl的归一化PL光谱。图3. a，c，e
，g，i)在800 nm激发下，在10 μJ
cm-2以下的能量密度下，在指示的延迟时间下，对照的基于低聚物的三元共混物的fs-TA光谱的2D彩色图。B，d，f，h，j)在指示的延迟时间下，对照的
掺入钙钛矿晶格、表面及晶界，而非仅作为表面 / 晶界添加剂，实现缺陷钝化、能级调制、晶格调整及晶相调控。3. 光伏性能表征小面积电池性能(n-i-p 结构：FTO/TiO₂/FAPbI
%)与超稳定性，为有机半导体 -
钙钛矿电池提供了新理论基础和应用范式。器件制备一、n-i-p 结构器件(FTO/TiO₂/ 钙钛矿 / Spiro-OmetaD/Au)基底清洗与预处理基底：氟
HTL201的器件的EQE曲线。i，ESTI测量的一个基于HTL201的串联电池的认证J-V曲线。插图显示了在AM
1.5G照明下，串联装置在1.74 V的固定施加电压下的稳定功率输出。图3.
不同
30s旋涂，100℃退火5min;2. 1.53 M Cs0.02(FA0.77MA0.23)0.98Pb(I0.77Br0.23)3 +4.5% PbBr2
，溶于DMF:DMSO=4:1
虚拟电厂运维下能源价值变现的新路径。目前，天合光能已构筑起新一代i-TOPCon Ultra组件、7MWh级交直协同储能解决方案、SuperTrack支架智算能力等在内的行业领先技术壁垒，保障“发
了一种纳米晶-核模板 (NCNT) 策略，通过精确匹配纳米晶体的 I/Br 比与目标钙钛矿薄膜的 I/Br 比，直接解决异质成核——相分离的根本原因。这种方法指导 Pb-I/Br 八面体的均质组装
