HIT电池工艺

隐裂，此外P型电池扩散工艺的加工温度为800~900度，过薄的硅片容易在高温下翘边。第二：除了硅片薄化的降本空间更大以外，HIT的工艺步骤也更为简便，全部生产流程的工艺步骤仅为四步;而晶科P-perc

，此外P型电池扩散工艺的加工温度为800~900度，过薄的硅片容易在高温下翘边。第二：除了硅片薄化的降本空间更大以外，HIT的工艺步骤也更为简便，全部生产流程的工艺步骤仅为四步;而晶科P-perc电池为了

然后从电池的一个表面流出，从而实现两者的分离。 2、HIT电池工艺流程 HIT电池的一大优势在于工艺步骤相对简单，总共分为四个步骤：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备。 图表2：HIT

的基础，相同的高效电池工艺在单晶上的投资回报远大于多晶。相同投资，单晶效率提升远大大于多晶，多晶PERC是无耐或者没有选择的结果。 2、电池加工成本占系统发电成本只有10%左右，从成本考虑，即使电池

过程中需要多步掺杂等复杂的工艺，使得其制造成本较高，技术门槛高。HIT 电池工艺要求严格，要获得低界面态的非晶硅 / 晶体硅界面，对工艺环境和操作要求也较高，需要开发适宜的低温封装工艺。其他技术或

。IBC 电池使用的 N 型硅片成本较高，电池制备过程中需要多步掺杂等复杂的工艺，使得其制造成本较高，技术门槛高。HIT 电池工艺要求严格，要获得低界面态的非晶硅 / 晶体硅界面，对工艺环境和操作

、配电设备及电缆、电站建设安装等成本，其中光伏组件投资成本占初始投资的 50%～60%。因此，光伏电池组件效率的提升、 制造工艺的进步以及原材料价格下降等因素都会导致光伏发电成本的下降。组件是
RearTotally-Diffused Cell，钝化发射极背面全扩散电池) 、 HIT(Hetero-junction withIntrinsic Thin-layer，本征薄膜异质结电池)、 IBC

期待今年多晶方面技术改进继续发力。 情理之中二：铝背场电池份额持续走低 + 几乎是大家的共识，只是时间问题 。过去一年，PERC来得比想象的更猛一点，HIT大家认为在未来可以期待，IBC
金刚线切割的应用在单晶电池上稳步拓展。可是专家们用2016的老眼光看2017年的发展，可谓眼镜摔碎一地!2017年单晶市场份额达到了惊人的80%，高于预估的70%。单晶倒也还好，多晶居然也达到了30%，而去

cell)，如图1所示。其结构特点是背表面扩散全覆盖以减小和降低电池的背面接触电阻和复合速率。与同为 N 型电池技术路线的 IBC、HIT 等相比，其结构简单、制备成本低、工艺流程短，易实现大规模

衰减最大值约3%，后面24年每年衰减率约0.7%。由此计算，25年后的光伏组件实际功率仍可达到初始功率的80%左右。 老化衰减主要原因有两类： 1)电池本身老化造成的衰减，主要受电池类型和电池生产工艺