EV电池

电学性能。其次，CdTe载流子浓度低，薄膜电阻率大，因而影响电池的电流输出。最后，CdTe的功率函数高达5.5eV，与寻常背电极金属材料难以形成欧姆接触。二是关键原料碲（Te）的供应不足。从原材料的
晶体硅和薄膜太阳能电池是现在乃至未来十年的两大主要技术阵营，晶体硅太阳能电池以高转化效率在过去和现在都主导着全球光伏市场。2011年以来，全球光伏产业在经历高速发展后，带来的是产能严重过剩

定位，只知道跟着政策走。汽车分析师张志勇接受媒体采访时说，最近几年上市销售的几款电动轿车，大多是小车，比如奇瑞已经上市的QQ3EV及M1EV纯电动轿车，之所以扎堆此类车型，正是听了政策的话电池技术不够好

～1.6eV。imomec等的目标是使CZTSe和CZTS等多接合型单元实现高转换效率。CZTSSe类太阳能电池方面，美国IBM公司和SolarFrontier等已经发布过转换效率为11.1%的2cm见方
索比光伏网讯:比利时imec的材料研究所imomec与欧洲研究机构联盟Solliance于2013年7月3日宣布，已确认多结晶CZTSe(Cu2ZnSnSe4)类太阳能电池单元的转换效率达到了9.7

利用200微米左右厚的硅片制成的太阳能电池。硅是地壳上最丰富的元素半导体，它的能隙宽度为1.12 eV。从能量转换效率来看，能隙为1.1eV～2.0 eV的半导体材料较适于制作太阳能电池。因此硅是一种

利用200微米左右厚的硅片制成的太阳能电池。硅是地壳上最丰富的元素半导体，它的能隙宽度为1.12 eV。从能量转换效率来看，能隙为1.1eV～2.0 eV的半导体材料较适于制作太阳能电池。因此硅是一种

，根据我们的模型，其直接带隙宽度可高达1.8eV，"NRL固态器件部的负责人RobertJ.Waltrs博士解释道。"使用这种材料，我们可以设想全部由与InP晶格匹配的材料组成的三结电池，在AM0时
)的认证）。SolarJunction公司还宣称，它目前使用了其独有的A-SLAM材料生产高效多结太阳电池。A-SLAM是指可调式光谱晶格匹配工艺，提供了带隙宽度从0.8eV到1.42eV的材料，从而

替代Ag时碰到的挑战的解决方案。 得到的初步结果支持我们的看法，这些结果包括：Al与Se钝化n型Si(100)表面间创纪录低的0.08eV肖特基势垒，直至～400℃ Se钝化Si(100)表面和Ni之间硅化的抑制。用价补钝化有可能构建全Al接触硅片太阳能电池，用于低成本万亿瓦规模的部署。

索比光伏网讯:作者：M.Tao，Arizona State University 到2050年全球的能量需求将达28TW，到2100年则为46TW。部署的光伏太阳能电池必须扩展到数十万亿峰瓦，以便
满足这些需求令人注目的一部分。太阳能电池的输出随一天中的时段而改变。太阳能电池的时间平均输出是其峰值功率的15-20%；所以，50TWp的太阳能电池将产生7.5-10TW的平均输出，或2100年全球能量

研究人员挑中了钒酸镧，其能带间隙为1.1 eV 可见光的能见带隙在1.5-3.5 eV之间。他们采用密度泛函理论来建立生长于钛酸锶衬底的钒酸镧光伏电池的模型。虽然他们无法就发电效率做出准确的预测，但研究人员

光子。因此研究人员挑中了钒酸镧，其能带间隙为1.1 eV 可见光的能见带隙在1.5-3.5 eV之间。他们采用密度泛函理论来建立生长于钛酸锶衬底的钒酸镧光伏电池的模型。虽然他们无法就发电效率做出准确