CVD

(纯度要求在99.5%以上)与氯化氢(HCl)合成产生便于提纯的三氯氢硅气体(SiHCl3，下文简称TCS)，然后将TCS精馏提纯，最后通过还原反应和化学气相沉积(CVD)将高纯度的TCS转化为高纯度
为TCS，并与尾气中分离出来的TCS一起送入精馏提纯系统循环利用，尾气中分离出来的氢气被送回还原炉，氯化氢被送回TCS合成装置，均实现了闭路循环利用。这是改良西门子法和传统西门子法最大的区别。CVD

（Fyzikln stav AV ČR， v. v. i） 　　斯洛文尼亚卢布尔雅那大学（Univerza v Ljubljani） 　　英国公司CVD Technologies 　　荷兰乌特勒支大学

进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。2 流化床法硅烷法硅烷热分解法硅烷(SiH4)是以四氯化硅
现在硅材料太贵，而晶体硅的用硅量太多，比如现在常用的多晶硅电池片的厚度通常最薄也在160微米左右，而薄膜硅的厚度只有2~3微米，因此，似乎可以省去许多材料。薄膜是要进行CVD沉积的，目前从工艺效率和

硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。2、硅烷法硅烷热分解法硅烷是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等

判决预计在5月17日公布，集邦科技(TrendForce)旗下绿能分析部门EnergyTrend认为合并课征AD(Antidumping)与CVD(Countervailing Duty)的惩罚性关税

分析部门EnergyTrend认为，合并征收AD(Antidumping)与CVD(Countervailing Duty)的惩罚性关税，有机会低于20%，目前看来双反议题的初判属重重提起轻轻放下的

关系，目的是降低光伏" title="光伏新闻专题"光伏电池板的成本。这个组合将应用化学蒸汽分解(CVD)流程在ORNL开发的金属箔片上培养薄层高质量硅。Ampulse将设计一个全规模生产线，支持长卷

相沉积法（CVD），前两种方法效率低，不适于大量制备，而迄今由CVD法制备的石墨烯一般是由纳米级到微米级尺寸的石墨烯晶畴拼接而成的多晶材料。石墨烯中晶界的存在会严重降低其质量和性能，因此大尺寸单晶
现有转移方法大多是将金属基体腐蚀掉，不仅会造成石墨烯结构的破坏、基体金属的残存和环境污染，而且会显著增加石墨烯的制备成本，尤其不适合化学稳定性强的贵金属上石墨烯的转移。金属所科研人员在前期常压CVD

，例如从外部买进三氯氢硅和氢气，采用CVD进行还原生产多晶硅，成本更加高昂；保利协鑫（香港上市企业）在2011年第三季度公布其多晶硅生产成本为20.8美元/公斤，算是国内标杆性的生产成本；许多厂家在市场

GT Advanced Technologies获得了一个1.013亿美元的订单，将CVD反应装置及配套生产设备出售给一个多晶硅生产商。该订单还附带一个和这个生产商签订的工程服务合同，在2012财年
的第二个季度，并且包括2011年12月31日前生产的3季度GT的库存。GT的总裁兼首席执行官Tom Gutierrez表示：此次销售是一个值得关注的里程碑，GT第一次将其CVD反应装置出售给现在最大的