Commission 简称ITC);ITC对中国出口的光伏电池多晶硅实行18.32%到249.96%不等的反倾销税(AD)以及15.24%-15.97%的反补贴税(CVD)。ITC以4比2投票通过对在法案生效日之前的进口产品不使用AD和 CVD规定。
%到249.96%不等的反倾销税(AD)以及15.24%-15.97%的反补贴税(CVD)。ITC以4比2投票通过对在法案生效日之前的进口产品不使用AD和 CVD规定。 天合回应USITC双反终裁
的硅烷法&流化床生产的改造方案。
典型的多晶硅工厂改造项目需要以下几个关键步骤:
工厂现状为冷氢化或者热氢化三氯氢硅生产线配合西门子CVD还原炉
第一步: 三氯氢硅合成单元改造
成硅烷生产单元; 保留西门子CVD还原炉
第二步: 将西门子CVD还原炉升级为流化床沉积技术
分步式多晶硅工厂改造具备以下特点:
尽可能的保留原有投资
技改新投资最小化
柏年陪同调研。刘志强一行到黄河新能源分公司多晶硅项目CVD还原区、中间罐区等地实地查看,对消防管理和消防设施配备等情况进行了详细询问。刘柏年介绍,新能源分公司成立了安全环保部,负责分公司消防工作的计划
原料;用硅烷热分解(CVD)法生产的高纯多晶硅广泛应用于半导体行业。记者了解道,精功新材料的歧化法硅烷技术是采用三氯氢硅为原料,在催化剂的条件下岐化为二氯二氢硅并进而岐化成硅烷,经提纯后制得高纯硅烷气的
,能够在装置建设全过程提供优质的服务,确保项目的高效实施和装置的顺利达产。该负责人还向记者透露:同时依托上市公司精功科技强大的装备设计制造能力,精功新材料与精功科技正在联合开发硅烷CVD炉和新型硅烷流化床。相信在不久的将来,精功会再为中国的光伏行业献上一份厚礼。
些技术被称为单结,使用一个二极管。最近发展到使用多个结相互叠加在一起,也称为串联和三结,这样可以通过使用不同的材料组合或结吸收更宽的光谱。这些技术大多依赖于化学气相沉积(CVD)或丝网印刷衍生出来的
估算预计,相对于体Ge衬底,厚度为5微米Ge层吸收GaAs过滤光的~85%。这一估算指出,在硅上用外延Ge的三结太阳能电池的性能不会受阻。在我们的设计中,Ge层用UHV-CVD工艺淀积,其中的乙锗烷和锡
这种低温CVD方法对100和150mm硅片格式的可扩展性。为此,我们设计了多硅片反应器,它能一次加工一批25硅片。结果显示Ge薄膜质量及厚度均匀性非常好(超过90%),不仅一片硅片上如此,而且整批的片对
流体动力学。这些方程代表快速动力学,它们在稳态时用COMSOL多物理模拟系统求解。流化床温度剖面及体积分数剖面从计算流体动力学(CFD)模块送到化学汽相淀积(CVD)模块。硅生产速率作为群体平衡模块
(PBM)的输入,后者计算微粒尺寸分布函数。尺寸分布模块输入到CVD模块和CFD模块以启动下一次迭代。这些模块如何连接的简要描述在下面给出。详细说明可向作者索要。计算流体动力学COMSOL流体流动模型与比例
口、装备靠进口,如何把关键技术、核心技术掌控权掌握在自己手里,非常重要。石定寰说,尽管这几年光伏产业发展很快,但我们的核心装备包括CVD的装备,基本也是靠国外进口,这些环节我们要加大创新的力度。同时我们整个
,让工厂保持营运,力求小有盈余,以待转型成功。至于在多晶硅材料研发上,政府应扮演积极角色,要求国科会委托有CVD或ALD之研发单位,尝试多种多晶硅材料以增加转换率,以世界第一为指标,解决太阳能业界的困境。