黑硅技术

（RIE）或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6／O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行钝化处理，形成绒面
高效电池生产技术工艺流程如图8所示。在先进制绒阶段，金刚线多晶硅片经过常规酸制绒工艺进行初步制绒，去除表面附近的损伤层。继续经过黑硅技术手段进行再制绒，形成亚微米级的绒面。后续经过绒面微处理完成整个

光学二次利用技术，电路优化增效技,组件新结构技术,2年内实现60P多晶组件300W量产，5年内实现60P多晶组件330W量产。同时，发展黑硅技术,通过特殊的表面陷光处理，让多晶组件具有更高的光学利用率

随着去年下半年单晶硅片的让利抢占市场效果显著，多晶硅片庞大的产能也欲以金刚线切降本以扳回一城。这样的热潮在各大垂直整合厂近日的财报会议也可见一斑，市场讨论金刚线切多晶硅片以及黑硅技术的热度又再
燃起。虽太阳能业界探讨金刚线切多晶硅片已行之有年，但过于光亮的硅片会让电池片外观产生线痕问题、也会因更高的反射率而降低转换效率，故须再多加一道表面制绒的工艺处理，业界普遍称之为黑硅技术。其中又以干法制绒的

反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中，仅固定投资成本部分(不含配套的水电、原料及人力等成本)将增加0.16元/片

切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等

, 组件新结构技术,2年内实现60P多晶组件300W量产，5年内实现60P多晶组件330W量产。发展黑硅技术, 通过特殊的表面陷光处理，电池绒面结构接近单晶，反射率和光学吸收率也优于单晶。较传统多晶

年内实现60P多晶组件300W量产，5年内实现60P多晶组件330W量产。发展黑硅技术,通过特殊的表面陷光处理，电池绒面结构接近单晶，反射率和光学吸收率也优于单晶。较传统多晶光谱响应波段更宽(拓展至