黑硅技术
产品的出货量持续爆发性增长。当前，保利协鑫正在积极推进金刚线切多晶硅片，并与电池厂商合作推动黑硅技术的应用，实现硅片降本和电池效率提升的双重目标。 从市场需求来看，目前多晶技术路线仍占据市场绝对主流
已经开始尝试其他的技术方案。其中，金刚线切多晶匹配湿法黑硅技术是当前研发的重点。保利协鑫的gcl法多晶黑硅片以金属诱导，产生纳米微孔结构，增加对光的吸收，解决了在金刚线切多晶硅片的表面制备优质绒面的障碍
。不仅如此，黑硅技术大大弥补了金刚线切多晶硅片反射率更高、严重降低电池效率的缺陷，是理想的配套技术方案。实验数据表明，应用gcl法多晶黑硅技术的电池可以提升电池效率0.3%-0.4%，60片型组件功率
、领导力。
在最新一代鑫多晶s4上，除了晶体结构控制，保利协鑫已经开始尝试其他的技术方案。其中，金刚线切多晶匹配湿法黑硅技术是当前研发的重点。保利协鑫的gcl法多晶黑硅片以金属诱导，产生纳米微孔结构
，增加对光的吸收，解决了在金刚线切多晶硅片的表面制备优质绒面的障碍。不仅如此，黑硅技术大大弥补了金刚线切多晶硅片反射率更高、严重降低电池效率的缺陷，是理想的配套技术方案。
实验数据表明，应用
称之为黑硅技术。其中包括干法蚀刻的离子反应法（Reactive Ion Etching，RIE）技术与湿法蚀刻的金属催化化学腐蚀法（metal Catalyzed Chemical Etching
，MCCE）。除了能解决外观问题之外，从转换效率的角度探讨，多晶电池片因表面反射率高，故多晶效率的提升主要能以降低光反射率为主。黑硅技术能形成奈米级的凹坑，提升入射光的捕捉，故在硅晶圆端降本、电池片端提效
黑硅技术。其中包括干法蚀刻的离子反应法(Reactive Ion Etching，RIE)技术与湿法蚀刻的金属催化化学腐蚀法(metal Catalyzed Chemical Etching，MCCE
)。
除了能解决外观问题之外，从转换效率的角度探讨，多晶电池片因表面反射率高，故多晶效率的提升主要能以降低光反射率为主。黑硅技术能形成奈米级的凹坑，提升入射光的捕捉，故在硅晶圆端降本、电池片端提效两方面
s4上，除了晶体结构控制，保利协鑫已经开始尝试其他的技术方案。其中，金刚线切多晶匹配湿法黑硅技术是当前研发的重点。保利协鑫的gcl法多晶黑硅片以金属诱导，产生纳米微孔结构，增加对光的吸收，解决了在金刚线
切多晶硅片的表面制备优质绒面的障碍。不仅如此，黑硅技术大大弥补了金刚线切多晶硅片反射率更高、严重降低电池效率的缺陷，是理想的配套技术方案。
实验数据表明，应用gcl法多晶黑硅技术的电池可以提升
，保利协鑫已经开始尝试其他的技术方案。其中，金刚线切多晶匹配湿法黑硅技术是当前研发的重点。保利协鑫的gcl法多晶黑硅片以金属诱导，产生纳米微孔结构，增加对光的吸收，解决了在金刚线切多晶硅片的表面制备优质绒
面的障碍。不仅如此，黑硅技术大大弥补了金刚线切多晶硅片反射率更高、严重降低电池效率的缺陷，是理想的配套技术方案。实验数据表明，应用gcl法多晶黑硅技术的电池可以提升电池效率0.3%-0.4%，60片型
称之为黑硅技术。其中包括干法蚀刻的离子反应法（Reactive Ion Etching，RIE）技术与湿法蚀刻的金属催化化学腐蚀法（metal Catalyzed Chemical Etching
，MCCE）。除了能解决外观问题之外，从转换效率的角度探讨，多晶电池片因表面反射率高，故多晶效率的提升主要能以降低光反射率为主。黑硅技术能形成奈米级的凹坑，提升入射光的捕捉，故在硅晶圆端降本、电池片端提效
主辅材，明显改善了多晶电池片的光衰、黑边等问题，提高了后端组件的输出功率。来自保利协鑫客户的数据显示，基于鑫多晶 S4的组件输出功率可以增加5.5W（60片型）。
除了更高效的硅片产品，黑硅技术
及配套的金刚线切多晶片也是多晶领域的热门研发方向。一直以来，降低表面反射率是电池厂商提高多晶产品效率的关键。而黑硅技术被视为解决多晶反射率高的有效方案，其既能提升电池效率又能降低电池成本。不仅如此
光衰、黑边等问题，提高了后端组件的输出功率。来自保利协鑫客户的数据显示，基于鑫多晶 S4的组件输出功率可以增加5.5W（60片型）。除了更高效的硅片产品，黑硅技术及配套的金刚线切多晶片也是多晶领域的
热门研发方向。一直以来，降低表面反射率是电池厂商提高多晶产品效率的关键。而黑硅技术被视为解决多晶反射率高的有效方案，其既能提升电池效率又能降低电池成本。不仅如此，黑硅技术的优势还在于不与现有的电池技术
