高效MWT背

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晶体硅背接触电池工艺需进一步简化来源: 发布时间:2013-05-19 00:09:59

MWT和EWT是背接触电池的二种形式,属于前结电池形式,发射极位于电池正面,有利于更多载流子的收集。MWT和EWT不完全依赖于栅线收集载流子,主要是通过对衬底打孔,通过不同的方式向孔洞中填充金属或者

得可太阳能中国苏州技术中心正式开业来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2013-05-08 13:23:38

替代能源来源的可行性带来益处。但是,发展太阳能并鼓励太阳能广泛应用的唯一办法是继续推动更高效且更低廉的总体制造成本。这正是苏州技术中心设立旨在促进的目标
举措,包括超细栅线印刷提高电池效率、降低银浆消耗、为可替代材料而采用的两次印刷技术、以及为促进更好的产量和良率而进行的设备开发已经上马。从长期而言,得可太阳能也将致力于为诸如金属贯穿孔技术(MWT)和选择性

晶体硅背接触电池需进一步简化工艺来源:中国电子信息报 发布时间:2013-05-08 10:33:07

美观。MWT和EWT是背接触电池的二种形式,属于前结电池形式,发射极位于电池正面,有利于更多载流子的收集。MWT和EWT不完全依赖于栅线收集载流子,主要是通过对衬底打孔,通过不同的方式向孔洞中填充金属

太阳能晶体硅背接触电池需进一步简化工艺来源:中国电子报 发布时间:2013-05-07 23:59:59

从背面引出,降低了封装难度,简化了制作工艺,使得电池更加美观。MWT和EWT是背接触电池的二种形式,属于前结电池形式,发射极位于电池正面,有利于更多载流子的收集。MWT和EWT不完全依赖于栅线收集
MWT和EWT太阳电池结构的优越性;(4)实现从电池的前结和背结双结共同收集电荷,故有很高的电荷收集率。此外,薄的硅片因为减少了电荷的传输路径,降低了孔电阻,也可以提高电池的填充因子。激光打孔技术应用

英利将携重量级光伏产品再次亮相SNEC展会来源:世纪新能源网 发布时间:2013-05-05 23:59:59

、地面光伏电站等。N-MWT组件是一种全新的、高效接触技术组件,目前正处于研发过程中,组件尺寸优化后其效率可达17.6%以上。其效率大大提高,且组件封装损失很低。而且该技术非常适用于薄片电池的封装

HIP组件:焊带连接技术取得突破性进展来源: 发布时间:2013-04-27 10:13:24

索比光伏网讯:摘要德国的菲郎霍弗太阳能系统研究所(ISE)与库迈思公司联合研发力量,突破性地研发了一种高效MWT电池片的连接技术。这种创新的技术成本优势明显,损耗非常低。前言在当前太阳能行业激烈竞争
效率,不管是IBC,EWT,还是MWT,背接触电池技术毫无疑问比正接触电池更具有吸引力。这几种技术都适合于电池片连接:因为大横截面电池片互联的采用,CTM损耗很低,并且没有正面的阴影。虽然导电背板为大

HIP组件:背接触电池组件的焊带连接技术的突破性进展来源:solarzoom 发布时间:2013-04-27 09:55:15

。 正因如此,目前为了进一步提升电池片和组件的效率,不管是IBC,EWT,还是MWT,背接触电池技术毫无疑问比正接触电池更具有吸引力。这几种技术都适合于电池片连接:因为大横截面电池片互联的采用
,但最终的组件效率并没有得到同样程度的提高。 正接触电池片和背接触电池片的区别 仔细研究正接触电池片和组件的各种技术概念,你会看到这种技术存在的天然缺陷。在电池片连接成组件的过程中存在着

低成本工业生产效率20% n型Si MWT太阳能电池的开发来源:SEMI 发布时间:2013-04-06 23:59:59

进一步提高电池与组件效率和降低成本,我们已经把n型掺杂晶硅的长处与我们的背接触MWT太阳能电池技术结合起来,与英利太阳能合作开发高效n型MWT晶硅太阳能电池(n-MWT)。本文在简要地说明n型晶硅材料和

第一太阳能不吝技术研发支出稳居组件商TOP1来源:PV-TECH 发布时间:2013-04-02 09:48:08

技术以杜邦旗下先进的选择刑法审计技术为基础,结合了金属穿孔卷绕(MWT)技术。阿特斯同时还将注意力放在了N型异质结薄膜和发射极穿孔(EWT)技术、以及其他单晶硅硅片高效电池设计工艺之上。   尽管
旗下具有背印刷触点的N型SPARC太阳能电池等。   天合光能在2011年分别获得了单晶硅电池20%和多晶硅电池19.6%的转换率。   但是,正如图一所描绘的,天合光能直至2010年才真正

五大光伏组件企业研发资金使用大PK来源: 发布时间:2013-04-02 08:58:59

心思来推广其ELPS电池技术,这一技术以杜邦旗下先进的选择刑法审计技术为基础,结合了金属穿孔卷绕(MWT)技术。阿特斯同时还将注意力放在了N型异质结薄膜和发射极穿孔(EWT)技术、以及其他单晶硅硅片高效
开发之上,如天合光能旗下具有背印刷触点的N型SPARC太阳能电池等。天合光能在2011年分别获得了单晶硅电池20%和多晶硅电池19.6%的转换率。但是,正如图一所描绘的,天合光能直至2010年才真正