非晶硅

片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200

世界记录。HIT太阳电池组件HIT（Heterojunction with intrinsic Thinlayer）硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂
种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。与常规晶体硅太阳电池组件相比，HIT太阳电池

Thinlayer）硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压

Thinlayer)硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到

这一点，制造商Hevel Solar已经将其非晶硅（a-Si）薄膜生产升级为HJT技术，并声称其新的HJT生产线具有发展潜力。Hevel表示，Novocheboksarsk的电池和组件制造厂于11月份

。这些系统有助于提供安全、清洁、无污染和实惠的电力。一个成功的光伏安装可以供电超15年，并且维护成本少、没有燃料成本。光伏材料可分为多晶硅、单晶硅、非晶硅、铜铟镓硒、碲化镉、晶体硅和铜光伏电缆。晶体硅是
领先的半导体材料，有助于从阳光生产太阳能。由于多晶硅的类半导体材料性质，在大多数太阳能应用中用作原材料，未来可能以高速率增长。非晶硅是非晶体硅形式，用于太阳能电池或薄膜太阳能电池中。由于来自常规晶体硅

可分为多晶硅、单晶硅、非晶硅、铜铟镓硒、碲化镉、晶体硅和铜光伏电缆。晶体硅是领先的半导体材料，有助于从阳光生产太阳能。由于多晶硅的类半导体材料性质，在大多数太阳能应用中用作原材料，未来可能以高速率增长
。非晶硅是非晶体硅形式，用于太阳能电池或薄膜太阳能电池中。由于来自常规晶体硅材料和薄膜技术(例如硒化铜铟镓和碲化镉)的激烈竞争，这类材料预计增长非常缓慢。铜铟镓硒是用于CIGS太阳能电池的一种

。太阳能电池，是基于光生伏特效应开发出来的一种光电转换器件，日前国际光伏市场上的太阳能电池主要有晶体硅（包括单晶硅、多晶硅）、非晶／单晶异质结（HIT）、非晶硅薄膜、碲化镉（CdTe）薄膜及铜铟硒（CIS
）薄膜太阳电池等。其中商品化的晶体硅太阳能电池仍占主流，其光电转化效率已达25％，其计算的转换效率的极限值为31%，但受到材料纯度和制备工艺限制，很难再提高其转化效率或降低成本；而非晶硅太阳能电池虽然能