非晶硅设备

，至今已拥有相关核心技术专利二十余项，涵盖真空镀膜技术(非晶硅镀膜与TCO制备)、外观以及相关设备设计，形成了完整的核心工艺专利保护。对捷佳伟创提供的全线整套电池设备及自动化设备，爱康参与设备开发技术交流

1.光伏发电是否有辐射、污染? 解答 电力专家表示:目前从运行看，光伏发电是没有辐射和污染的。但是会有电池和噪音问题。电子设备在运行时会有噪音，但在可控范围内。电池类似手机、相机电池等有小剂量的
辐射，但不会是大问题。光伏发电电池板回收是否有辐射主要看其材料。如果是晶硅太阳能电池回收没有太多污染源，同样，非晶硅光伏太阳能产品，主要看选择何种材料。有些惰性材料要好些，毒性要小些。 2.冬天

总的投资额为25亿元，单GW投资额为10亿元，远高于PERC的设备投资额。按照数量来看，单GW都需要配备10台设备。按照不同设备类型来看，非晶硅沉积设备投资额最大，单GW投资额为4亿元;其次为TCO

，精准对位是激光设备的必要条件，如果不采用Scanner方式的激光头，其加工时间往往较长，平均每片电池片的激光加工需耗时几分钟到十几分钟，生产效率低，目前只适合研发应用。 近年来，不断有从半导体工业
22.1%和22.4%的转换效率。当然，离子注入技术的量产化导入，设备和运行成本是考量的关键。 陷光与表面钝化技术 对于晶体硅太阳电池，前表面的光学特性和复合至关重要。对于IBC高效电池而言，更好的

)。 HIT投资成本因设备配置变化而改变。其取决的因素包括采用完全进口设备还是部分国产设备;同种工艺选择何种设备，比如非晶硅沉积选择HWCVD还是PECVD，TCO镀膜选择RPD还是PVD。目前，全

异质结电池来说，藉由逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。 工艺流程简单 异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的
HELiA PECVD 及沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO)的HELiA PVD 设备来说，藉由四个主要设备来完成八个工艺步骤，使得工艺流程极大地简化，生产场地占地面积大大缩小，其工艺步骤

逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。 工艺流程简单 异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的 HELiA PECVD 及沉积电池正反面
的透明氧化物导电薄膜(TCO)的HELiA PVD 设备来说，藉由四个主要设备来完成八个工艺步骤，使得工艺流程极大地简化，生产场地占地面积大大缩小，其工艺步骤如下： 01、制绒清洗机 ： 电池

异质结电池来说，藉由逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。 工艺流程简单 异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的
HELiA PECVD 及沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO)的HELiA PVD 设备来说，藉由四个主要设备来完成八个工艺步骤，使得工艺流程极大地简化，生产场地占地面积大大缩小，其工艺步骤

非晶硅的良好对缺陷的钝化以及更大的禁带宽度，电池的开路电压高。 ◇ 温度和光照稳定性好 HJT电池温度系数小，在弱光和光照升温条件下输出特性衰减较少，无Staebler-Wronski效应，几乎
路线 (1)HJT采用了与传统晶硅电池工艺设备不兼容的薄膜沉积的技术，设备一次投资高，带来成本的上升，通过推动HJT产业规模化发展，设备成本有望持续下降，接近与PERC持平。 (2)N型硅片市场

，TOPCon 电池生产工 艺的改变主要在于：增加了隧穿氧化物沉积、多晶硅沉积、硼扩工序，同时需增加湿法刻蚀步骤来应对非晶硅的绕 镀问题。理论上，TOPCon 技术仅需在现有产线基础上增加薄膜沉积设备
，而后退火晶化。实际工业生产中，非晶硅沉积主要利用 LPCVD 设备实现，缺点 在于沉积过程中存在绕镀现象。 湿法刻蚀：由于非晶硅沉积存在绕镀，实际量产中采用湿法刻蚀工艺对绕镀的非晶硅进行刻蚀