非晶硅薄膜太阳能

：INDEOtec 成立于 2007 年，是一家专注于薄膜太阳能电池 PECVD 工艺设备研发、生产和销售的瑞士设备生产商。公司已开发出专用于 HJT 非晶硅薄膜沉积的 OCTOPUS 系列设备
平台型技术，提效潜力巨大，有望成为下一代主流技术：HJT 电池本征非晶硅层将 N 型衬底与两侧的掺杂非 晶硅层完全隔开，实现了晶硅/非晶硅界面态的有效钝化，带来了相比 PERC 更高的开路电压，从而

(Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer) 是利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，是结合了薄膜太阳能技术的单晶硅电池。PERC(Passivated
快速发展十余年里，两次技术跃迁已推动产业格局两轮洗牌。 光伏产业第一次大洗牌始于2010年前后。2009年之前，硅料成本高昂，光伏晶硅产品成本因此居高不下，非晶硅的薄膜太阳能技术被看好。2009年

本偏高。 第二代太阳能光伏电池，主要是非晶硅薄膜太阳能电池和晶硅薄膜太阳能电池。其中非晶硅的砷化镓太阳能电池效率目前可达30%左右，但是价格昂贵，综合性价比并不高，因此多用于对性能要求很高的太空飞行

实现了小批量生产，但规模量产仍需要一定时间。钧石能源起步较早，作为设备供应商有研发和量产硅基薄膜太阳能电池生产线的经验，于 2010 年开始研发高效单晶 异质结电池，在 2016 年建成 100MW
和掺杂非晶硅薄膜环节，理想万里晖提供的 PECVD 设备在备受好评，迈为股份也不断精进其 PERCVD 设备;在沉积 TCO 薄膜环节， 钧石能源的 PVD 设备已经入大规模生产应用，捷佳伟创在获得

，单晶硅和多晶硅电池优于非晶硅电池。 太阳能电池主要包括晶硅电池和薄膜电池，靶材主要应用于薄膜太阳能电池的背电极环节以及HIT(异质结)电池的导体层。晶体硅太阳能电池按照生产工艺不同可分为硅片涂覆型
三洋公司于1990年成功开发，因HIT已被三洋注册为商标，因此又被称为HJT或SHJ。HIT电池同样是基于光生伏特效应，只是P-N结是由非晶硅(a-Si)和晶体硅(c-Si)材料形成的(背面的高低结亦然

(Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer， HIT) ，结合了薄膜太阳能技术，理论效率达27%以上，是已知量产电池中相对效率最高的结构，成为了下一代电池技术的最有力竞争者
非晶硅的良好对缺陷的钝化以及更大的禁带宽度，电池的开路电压高。 ◇ 温度和光照稳定性好 HJT电池温度系数小，在弱光和光照升温条件下输出特性衰减较少，无Staebler-Wronski效应，几乎

产业初具规模后，同煤集团向上游光伏制造业发展，把大同移动能源产业园作为能源革命标志性项目，投资22.29亿元，上马一期300兆瓦美国铜铟镓硒薄膜太阳能电池生产线，打造了完整的新能源产业链。截至2017
技术路线，是在N型单晶硅片上镀非晶硅薄膜来实现电池的高转换效率。 目前，钧石能源实际量产规模为600MW，后续合作中大规模生产能否顺利进行，存在不确定性。 异质结(HIT/HDT)是N型电池的技术路线

。当年5月，其宣布与中科院上海微系统与信息技术研究所、三峡资本，共同建设规划2GW异质结太阳能电池产能项目。 HJT中文名为异质结电池，全称为晶体硅异质结太阳能电池，是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜。 该
以前，晶硅和薄膜两种技术路线还处在并行发展阶段。但由于晶硅技术率先成功实现大规模商业化，并持续降本增效，目前已占据光伏电池市场90%以上的份额;而各类薄膜太阳能技术占比不足一成。 现在这些技术都在和

太阳能电池，是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，是高转换效率硅基太阳能电池的重要发展方向之一。HIT结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂
种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。 相比于传统的太阳能电池， HIT电池的在效率

薄膜太阳能电池的产品类型主要包括晶体硅薄膜太阳能电池、非晶硅薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池和CdTe 薄 膜太阳能电池等。虽然这些太阳能电池占据了柔性薄膜太阳能电池大部分的市场 份额，但这些