非晶硅竞争力
24.85%，刷新了其保持的中国纪录，更超过了由日本Kaneka公司保持的原世界纪录，成为6寸硅片SHJ电池新的世界冠军!
SHJ技术被称为极具竞争力的下一代太阳能技术。基于这种技术生产的组件
、农光互补等项目上。
据了解，汉能SHJ电池采用隆基高质量n型硅片为底材，融合汉能的薄膜太阳能技术，用非晶硅氧和硅碳合金薄膜作为钝化层，以微晶硅氧合金材料作为窗口层，显著提高了开路电压和短路电流
，相比通常情况下刷新世界纪录所采用的实验室研发设备及工艺，这项技术可以直接用于大规模量产。
SHJ技术被称为极具竞争力的下一代太阳能技术。基于这种技术生产的组件，具有极好的耐候性，使用寿命可达30年
材，融合汉能全球领先的薄膜太阳能技术，用非晶硅氧和硅碳合金薄膜作为钝化层，以微晶硅氧合金材料作为窗口层，显著提高了开路电压和短路电流，实现SHJ电池转换效率的稳步突破。同时，汉能SHJ电池所采用的
太阳能电池是指通过光电效应或光化学效应， 把光能转化成电能的装置， 制作一个非晶硅太阳能电池需要经过10多道工序。该公司相关负责人告诉记者， 为进一步提升核心竞争力，公司进行了转型升级，更新了老旧设备，引进
6月3日上午， 记者在蓬安县河舒工业园某科技公司生产车间看到，穿着防尘连体服的工作人员在车间生产线上忙碌着。 经过一道道复杂而又精细的工序， 一个个非晶硅太阳能电池就制作完成。
非晶硅
分布式光伏电站业务立刻陷入了休克状态。之前依靠补贴活着，基本没有成本控制和研发能力，不具备足够市场竞争力的大批光伏企业立刻陷入危机，行业焦虑情绪蔓延。
任何一个行业都不可能永远靠着补贴扶持发展，而且
都在电池背面，光线利用率提高。
HIT电池：Hetero-junction with Intrinsic Thin-layer(本征-薄膜异质结),其特征为在晶体硅和掺杂薄膜硅之间插入一层本征非晶硅
。
SHJ技术作为汉能薄膜太阳能技术路线之一，继承了汉能在非晶硅、微晶硅和TCO薄膜技术领域长期积累的经验；由世界太阳能前沿领域领军人物带队，搭建了一支年轻化、行业经验丰富的青年科学家研发团队，经过几年的实验
条件完善及技术积累，技术开始取得突破性进展。当前已申请相关专利300多件，其中过半为发明专利。
SHJ技术被称为极具竞争力的下一代太阳能技术。基于SHJ技术生产的组件具有极好的耐候性，寿命可达30
不仅仅只是一个组件供应商，他们强大的技术实力彰显无遗。而对于已经稳居组件供应商龙头地位的晶科来说，新型电池的投产以及产线的适配将使得新电池以最快的速度量产。而一旦量产，其产品的竞争力将获得提升，同时给行业
4.02A(39.5 mA/cm2)，填充因子83.2%。
松下在声明中指出，为提高电池效率，公司主要在减少复合损失，减少吸光损失和减少电阻损失三方面入手。HIT电池通过其高质量的非晶硅薄层减少表面
能够在全天候工业流程中完成均匀的高质量本征及掺杂非晶硅膜层的沉积。大规模生产中的平均转换效率可达23%Gt以上，最高效率已超过24%。这里Gt代表Grid touch测量，因为HJT电池片属于无无主栅
电池片。这些电池片可以通过弗劳恩霍夫太阳能系统研究所校准实验室(ISE CalLab)等机构进行校准。
HELiA PECVD沉积系统
HJT电池片的金属化必须采用低温浆料，因为非晶硅膜层
全产业链中利润最丰厚的一环。 然而，汉能没料到押注的非晶硅薄膜技术根本不具有市场竞争力，在2009年开始金太阳工程中，由于补贴模式为项目补贴，投资商趋向于选择低价组件多拿补贴款，汉能非晶硅薄膜组件还有
太阳能电池应运而生。异质结电池的发展是从20世纪60年代开始的，1968年实现晶硅与非晶硅结合的异质结器件，1974年首次实现氢化非晶硅，减少非晶硅的缺陷，1983年异质结电池第一次制备成功，效率为12.3
。
图5 为HIT 太阳电池( 异质结太阳电池)结构示意图。HIT 太阳电池以高质量超薄本征非晶硅层对晶体硅基底材料的两面进行钝化，降低表面复合损耗，提高了器件对光生载流子的收集能力，从而形成
太阳电池，由于其特殊的结构和制备工艺，其导电银浆中导电相为Ag-Al 合金，可以在p+ 发射极硅表面获得低接触电阻。对于HIT 太阳电池而言，高温会对电极下面掺杂的非晶硅薄膜产生损伤，因此必须
