非晶硅竞争力
太阳光伏系统核心是太阳能电池板，用来发电的半导体材料主要有：单晶硅，多晶硅，非晶硅及碲化镉等。根据中国光伏行业协会数据显示，截止到2019年，我国光伏新增装机量连续7年位居全球首位，累计装机量连续5
已基本降至每瓦4元以下，较2019年下降约13%，降价使光伏相对于传统能源竞争力越来越强，光伏配备储能装置后，在未来10年将会成为大多数国家和地区清洁能源的首选。
疫情发生以来，全球煤炭消费、石油消费
，帮助读者正确把握和判断异质结电池成本降低前景。
本文将分析用于沉积非晶硅薄膜和TCO透明导电层的沉积设备企业2020年最新进展。设备成本决定异质结产线投资额，而沉积设备占据设备成本的主要份额
阶段的验证和智能化自动化升级，新的GW级生产线设计符合行业对异质结电池核心生产装备需要具备持续竞争力的要求，主要设备PECVD、PVD、印刷机等兼容166mm、18xmm、210mm尺寸硅片，采用大
1. HIT 电池性能优异，商业化节奏提速1.1 HIT：一种非晶硅与晶硅材料相结合的高效电池技术
HIT 电池是以晶硅太阳能电池为衬底，以非晶硅薄膜为钝化层的电池结构。HIT(异质结电池
，Heterojunction with Intrinsic Thin layer)是一种在 P 型氢化非晶硅和 n 型氢化非晶硅与 n 型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜的电池结构。标准
，具备核心竞争力和持续发展能力的风电企业才能生存下来。全国政协委员、金风科技董事长武钢表示，挤掉补贴泡沫，企业将面临真刀真枪的市场竞争，经不住考验或被直接淘汰。
武钢认为，进入后平价时代，风电行业将以
的空间依然很大。光伏效率要能提高1%，由此带来的经济效益就不得了，而效率提升离不开技术。就当前主导的晶硅、非晶硅电池技术，如何进一步降成本、提效率是关键。就后起的钙钛矿、异质结等新技术，至少需要
硅基薄膜工艺形成p-n结发射区，制程中的最高温度就是非晶硅薄膜的形成温度(200℃)，避免了传统晶体硅电池形成p-n结的高温(950℃)。可以降低能耗、减少对硅片的热损 伤。
③获得较高的转换效率
。HJT电池中的本征薄膜能有效钝化晶体硅和掺杂非晶硅的界面缺陷，形成较高的开路电压。
④由于电池上表面为TCO导电玻璃，电荷不会在电池表面的TCO上产生极化现象，PID现象(电势诱导衰减
所有PERC产能的供给能力，因此非PERC产品依旧保有一定比例，但相比之下竞争力比较弱。再加之单晶PERC性价比最高，更具扩产抢占市场的可能性。
HIT技术是PERC之后的全新工艺。HIT电池最早由日本
三洋公司于1990年成功开发，因HIT已被三洋注册为商标，因此又被称为HJT或SHJ。HIT电池同样是基于光生伏特效应，只是P-N结是由非晶硅(a-Si)和晶体硅(c-Si)材料形成的(背面的高低结亦然
，产线平均效率超24%，同时组件端成本已经接近PERC技术，极具竞争力。展现出异质结电池技术的高度潜力。
而对于异质结电池技术高的转换效率外，生产成本的考量最为行业关注，本文便针对
异质结电池来说，藉由逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。
工艺流程简单
异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的
，产线平均效率超24%，同时组件端成本已经接近PERC技术，极具竞争力。展现出异质结电池技术的高度潜力。
而对于异质结电池技术高的转换效率外，生产成本的考量最为行业关注，本文便针对异质结电池主要降本
逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。
工艺流程简单
异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的 HELiA PECVD 及沉积电池正反面
，产线平均效率超24%，同时组件端成本已经接近PERC技术，极具竞争力。展现出异质结电池技术的高度潜力。
而对于异质结电池技术高的转换效率外，生产成本的考量最为行业关注，本文便针对
异质结电池来说，藉由逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。
工艺流程简单
异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的
非晶硅的良好对缺陷的钝化以及更大的禁带宽度，电池的开路电压高。
◇ 温度和光照稳定性好
HJT电池温度系数小，在弱光和光照升温条件下输出特性衰减较少，无Staebler-Wronski效应，几乎
传统PERC和N-Topcon相比效率极具竞争力。然而，受高昂的成本制约，主流市场HJT仍然难以对抗传统PERC电池的性价比优势。因此，兼顾提效基础上的降本是HJT产业的重中之重。
HJT的降低成本
