铸锭单晶组件

来。单晶和多晶竞争加剧保利协鑫在4月19日开幕的上海SNEC国际光伏展上重磅发布了新一代铸锭单晶G3硅片产品，该产品使用铸锭技术生产单晶硅片，具有高产能、高效率、低成本、低光衰等多重优势。据保利协鑫方面
介绍，铸锭单晶硅片G3基于保利协鑫最新的整锭全单晶技术平台，硅片的单晶面积可达99%以上。其中，批量生产的整锭单晶硅片G3在常规工艺下的电池转换效率可达19.52%，在PERC电池工艺下可达20.85

。当下，降本增效无疑是光伏产业链各环节的共同目标，特别是系统占比最高的光伏组件，无论是单晶组件还是多晶组件，均以技术带动不断优化性价比。就单晶组件而言，金刚线切割破解硅片成本，PERC等高效技术拉动
，多晶铸锭由于易于扩展而快速占领市场。而单晶生长及金刚线切割技术的应用，逐渐打破了这一平衡。光伏组件成本中，占比最高的当属硅片的35%~40%。单晶硅片由金刚线切割技术全面代替传统的砂浆线后，切割效率

出，超级多晶或铸锭单晶是铸锭技术演进的终极高效产品，其与直拉单晶的效率差小于0.5%，成本比直拉单晶低0.5元/片以上，性价比卓越。该产品具有很强的发展潜力，有望显著提升多晶硅片的性价比优势。王文静
技术高级总监阿特斯（中国）投资有限公司技术高级总监王栩生表示黑硅技术+金刚线切片将引领未来多晶技术。他介绍，2011-2014年多晶硅的市场份额3倍于单晶硅，主要因为高质量铸锭工艺的应用以及制造成本的

后的多晶组件效率有望接近同标准的单晶组件，多晶技术进步潜力巨大，性价比优势将再次大幅提升。受多晶大规模技改影响，尤其铸锭单晶的量产，扩产后的P型直拉单晶产能可能会面临大量闲置。相对而言，铸锭单晶效率

，封装后的多晶组件效率有望接近同标准的单晶组件，多晶技术进步潜力巨大，性价比优势将再次大幅提升。受多晶大规模技改影响，尤其铸锭单晶的量产，扩产后的P型直拉单晶产能可能会面临大量闲置。相对而言，铸锭
高峰期，由于领跑者计划对单多晶效率标准制定没有拉开差距，去年的投标方案大比例选择了单晶组件以获得技术评分，在单晶产能不足的情况下造成供应紧张，单晶硅片价格持续居高不下，单晶厂商选择大规模扩产。此种市场

的氧含量成正比。 多晶和单晶硅片中均含有氧，但多晶的氧含量要比单晶低很多。在多晶铸锭或CZ直拉单晶过程中，氧主要是通过坩埚界面扩散到液态熔融硅中。相对于多晶铸锭， CZ单晶硅投料量少，硅和坩埚的相对
接触面积要大； CZ单晶拉晶时间长，氧有更多的时间扩散到液态硅中。一般CZ单晶的氧含量在1520ppm范围，而铸锭多晶可控制在2ppm左右。另外，多晶晶界中的大量悬挂键复合了大部分的氧原子，从而使间隙氧

的SolarWorld也先后表示将专注于单晶产品，供需均转向单晶的趋势明显。今年1月初，通威股份宣布与天合光能、隆基股份三方联手，共同出资人民币8亿元资金，于中国丽江成立5GW的单晶铸锭（ingot
价格外，技术亦成关键指标。“领跑者”计划对先进技术产品指标规定，多晶硅和单晶硅电池组件的光电转换效率分别要达到16.5%和17%以上。在不少人士看来，该标准对单晶组件的门槛明显比多晶组件要低。面对政策上

效率分别要达到16.5%和17%以上。在不少人士看来，该标准对单晶组件的门槛明显比多晶组件要低。那么，单多晶指标设定依据是什么？经记者查阅资料了解到，2015年3月25日，工信部发布《2015年光
配套黑硅技术推广，又将性价比拉开了。2017年上半年单晶需求旺盛，并非单晶竞争力上升，而是因为去年投标的‘领跑者’项目中为了技术分，设计了相当比例的单晶组件，导致单晶需求超过单晶产能供应。”保利协鑫

效率分别要达到16.5%和17%以上。在不少人士看来，该标准对单晶组件的门槛明显比多晶组件要低。那么，单多晶指标设定依据是什么？经记者查阅资料了解到，2015年3月25日，工信部发布《2015年光
竞争力上升，而是因为去年投标的‘领跑者’项目中为了技术分，设计了相当比例的单晶组件，导致单晶需求超过单晶产能供应。”保利协鑫副总裁吕锦标在接受采访时说，“下半年没有‘领跑者’项目后，就是真正拼实力了

单晶组件的门槛明显比多晶组件要低。那么，单多晶指标设定依据是什么?经记者查阅资料了解到，2015年3月25日，工信部发布《2015年光伏制造行业规范条件》，参照的是2013年单多晶技术生产标准，该规范
了。2017年上半年单晶需求旺盛，并非单晶竞争力上升，而是因为去年投标的领跑者项目中为了技术分，设计了相当比例的单晶组件，导致单晶需求超过单晶产能供应。保利协鑫副总裁吕锦标在接受采访时说，下半年没有