铜铟镓硒薄膜电池组件
能不低于 5000 万片; 5.晶硅电池年产能不低于 200MWp; 6.晶硅电池组件年产能不低于 200MWp; 7.薄膜电池组件年产能不低于 50MWp。 (四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求
单晶硅电池的光电转换效率分别不低 于 16%和 17%;
4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率 分别不低于 14.5%和 15.5%;
5.硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉
%和15.5%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足
硅片年产能不低于5000 万片；5.晶硅电池年产能不低于200MWp；6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp；7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求
能不低于 200MWp；
7.薄膜电池组件年产能不低于 50MWp。
（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：
1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1 级品
的要求；
2.
硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄
膜电池组件的光电转换效率分别不低于 8%、10%、11%、10%。
（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：
1.多晶硅满足《硅多晶
；6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp；7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求；2.
多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其
能不低于200MWp;6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp;7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。(四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1级品的
能不低于200MWp；6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp；7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的
的光电转换效率分别不低于16%和17%；多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别
，多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。对新建和改扩建企业及项目
处于行业中高水平，新增了薄膜电池组件相关内容；企业研发投入设立最低限。
白洪强表示，《条件》表明国家不再一味地对光伏产业给予财政等政策支持，而是通过制定技术标准，提高行业准入门槛，通过优化产业结构
多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%； 5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10
%； 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%； 5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8
