为深入贯彻落实科学发展观，引导光伏制造行业加快转型升级，推动我国光伏产业持续健康发展，根据国务院《关于促进光伏产业健康发展的若干意见》（国发[2013]24号）和国家有关法律法规及产业政策，按照优化布局、调整结构、控制总量、鼓励创新、支持应用的原则，特制定光伏制造行业规范条件。
一、生产布局与项目设立
（一）光伏制造企业及项目应符合国家资源开发利用、环境保护、节能管理等法律法规要求，符合国家产业政策和相关产业规划及布局要求，符合当地土地利用总体规划、城市总体规划、环境功能区划和环境保护规划等要求。
（二）在国家法律法规、规章及规划确定或省级以上人民政府批准的基本农田保护区、饮用水水源保护区、自然保护区、风景名胜区、重要生态功能保护区和生态环境敏感区、脆弱区等法律、法规规定禁止建设工业企业的区域不得建设光伏制造项目。上述区域内的现有企业应逐步迁出。
（三）严格控制新上单纯扩大产能的光伏制造项目。对加强技术创新、降低生产成本等确有必要的新建和改扩建项目，报行业主管部门及投资主管部门备案。新建和改扩建光伏制造项目，最低资本金比例为20%。
二、生产规模和工艺技术
（一）光伏制造企业应采用工艺先进、节能环保、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备。
（二）光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和国境内依法注册成立，具有独立法人资格；具有太阳能光伏产品独立生产、供应和售后服务能力；具有省级以上独立研发机构、技术中心或高新技术企业资质，每年用于研发及工艺改进的费用不低于总销售额的3%且不少于1000万元人民币；申报符合规范名单时上一年实际产量不低于本条第（三）款产能要求的50%。
点评：要求年销售额至少超过3.3亿，按现在的价值相当于80MW组件，140MW的电池，6000万张多晶硅片。
（三）光伏制造企业按产品类型应分别满足以下要求：
1.多晶硅项目每期规模大于3000吨/年；
2.硅锭年产能不低于1000吨；
3.硅棒年产能不低于1000吨；
4.硅片年产能不低于5000万片；
5.晶硅电池年产能不低于200MWp；
6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp；
7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。
点评：这些标准都是入门级的标准，在当前全球80GW的总产能，50GW有效产能，30GW的优质产能，5-10GW的领先产能，而市场只有40GW的需求量，注定一批小规模，无技术的企业是很难存活下去的。
即便刚刚达到这7条标准的企业，生存也非常困难。
（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：
1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求；
2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2μs，电阻率在1-3Ω。cm，碳、氧含量分别小于16和18PPMA；单晶硅片少子寿命大于10μs，电阻率在1-3Ω。cm，碳、氧含量分别小于10和18PPMA；
3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；
4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；
5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。
点评：就目前在开的产能来看，这些都是入门级的标准，多晶硅电池低于16%和单晶硅电池低于17%的电池产品已经属于低劣片，相当一部份是以废品而论公斤售卖。
而组件转换低于14.5%和15.5%多晶和单晶在市场上属于少数产品，随着充斥垃圾产品的“金太阳”项目的结束，这类产品将自动被市场淘汰。
（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：
1.多晶硅满足《硅多晶》（GB/T12963）2级品以上要求；
2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2.5μs，电阻率在1-3Ω。cm，碳、氧含量分别小于8和6PPMA；单晶硅片少子寿命大于11μs，电阻率在1-3Ω。cm，碳、氧含量分别小于8和6PPMA；
3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18%和20%；
4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%；
5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。
对于新建设的电池产线，18%和20%的多单晶的要求很正常，截止到2013年8月份市场上的主流多晶转换已经来到了17.5%左右，目前技术还将以每季度提升0.1%的速度提升，即便现在扩产新建，考虑一年左右的建设时期，明年的主流行业标准都将进入18%以上的水平。单晶20%以上技术目前国内还是鲜有几家企业可以大批量生产的。
组件的转换效率相对而言是比较高的，多晶16.5%和单晶17.5%，以主流的60片156*156的电池片而言，其组件W数分别要达到270W和285W，目前国内无任何一个大厂可以大批量生产。可见工信部对新投产的组件要求是非常高的，这就要求各企业除了对电池提升效率外，还要对边框的使用和封装技术的选择以及增透膜等技术下苦功夫。
（六）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2年内分别不高于3.2%和4.2%，25年内不高于20%；薄膜电池组件衰减率在2年内不高于5%，25年内不高于20%。
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