金属氧化物

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重点发展光伏 江西省工信厅新文件出炉来源:江西省工业和信息化厅 发布时间:2020-02-19 10:02:06

材料、石墨烯、金属锂等新型负极材料,解决正负极材料容量匹配问题。电解液方面,发展高温电解液、低温电解液、高电压电解液等,研究开发双氟磺酰亚胺锂(LiFSI)、双氟磺酰亚胺钾(KFSI)、以及双氟磺酰亚胺阴离子
、碱性燃料电池以及固体氧化物燃料电池。 三、主要任务 (一)推进项目建设 建立健全新能源重点项目库,不断完善项目跟踪服务机制,积极推进晶科能源有限公司双倍增项目(新建年产8GW硅片、8GW组件

重点发展光伏!江西新能源产业高质量跨越式发展行动方案出炉来源:江西省工业和信息化厅 发布时间:2020-02-18 08:36:23

综合利用产业化试点。 电池材料。正极材料方面,重点发展高镍NCA(或NCM)、低钴、无钴三元正极材料。负极材料方面,重点发展硅碳负极材料、石墨烯、金属锂等新型负极材料,解决正负极材料容量匹配问题。电解液
等。 氢能(氢燃料电池)。加强电堆核心零部件及膜材料、催化剂等关键原材料研究,建设制氢、储运等重要配套环节,引进并发展质子交换膜燃料电池、碱性燃料电池以及固体氧化物燃料电池。 三、主要任务 (一

PERC技术头部企业净利5分/瓦?HIT最终产能预计达300GW?来源:女柚子之路 发布时间:2020-02-09 22:22:47

光伏电池的发电结构,由于非晶硅薄膜横向导电性不好,如果直接在非晶硅薄膜上印刷电极,会有部分电流无法收集,所以还需要在非晶硅薄膜两侧沉积一层金属氧化物导电层,英文缩写是TCO,说的简单点就是一层透光性很好的
,质量占比在90%以上,剩余10%是氧化锡、氧化钨、氧化铈、氧化钛等金属氧化物。目前铟价格约900-1000元/千克,加工费约500-1000元/千克,完全成本在2000元/千克以下,价格在3000元

【中银电新】HJT:有望开启光伏新一轮技术革命(光伏异质结电池系列报告之一)来源:SOLARZOOM光储亿家 发布时间:2020-02-04 16:41:38

氧化物薄膜(TCO),最后通过丝网印刷或电镀技术在电池两侧的顶层形成金属集电极,其结构具有对称性。 HJT电池转换效率已在晶硅光伏电池中位居前列:HJT电池量产之后,日本Sanyo/松下仍在持续研究
%:在高效光伏电池领域,IBC(Interdigitated Back Contact,交叉背接触)电池在产业中也颇受关注,其结构特点是p-n结和金属电极接触都位于电池背部,电池正面避免了金属栅线电极的

全球首套规模化太阳燃料合成示范项目试车成功!来源:中国科学院大连化学物理研究所 发布时间:2020-01-19 09:10:06

效率。二氧化碳加氢制甲醇技术则采用李灿团队自主研发的固溶体双金属氧化物催化剂(ZnO-ZrO2),该催化剂可实现二氧化碳高选择性、高稳定性加氢合成甲醇。其中单程甲醇选择性大于90%,催化剂运行3000小时性能

全球首套规模化太阳燃料合成示范项目试车成功来源:中国新闻网 发布时间:2020-01-17 17:01:55

世界上规模化碱性电解水制氢的最高效率。 而在二氧化碳加氢制甲醇技术方面,则采用李灿院士团队自主研发的固溶体双金属氧化物催化剂,该催化剂可实现二氧化碳高选择性、高稳定性加氢合成甲醇。 大连化物所方面

突然爆火的异质结HIT光伏技术优势与挑战并存 PERC主流地位短期内无法撼动来源:能见Eknower 发布时间:2020-01-13 09:15:21

三层薄膜(本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜、金属氧化物导电层TCO)。 这种结构给HIT电池带来了效率高、低光衰、温度系数低、双面发电、弱光响应高等多项优势,呈现出来的结果就是,HIT电池具备更高的

HIT蓄势待发,关于HIT你了解多少?来源:电新产业研究、全国能源信息平台 发布时间:2020-01-08 09:12:44

90%以上,剩余10%是氧化锡、氧化钨、氧化铈、氧化钛等金属氧化物。目前铟价格约900-1000元/千克,加工费约500-1000元/千克,完全成本在2000元/千克以下,价格在3000元/千克左右

异质结技术:通往高效组件大规模生产之路来源:PV-Tech 发布时间:2019-12-30 10:40:57

,以及防止在沉积掺杂层期间由掺杂剂原子产生缺陷。掺杂的层完全被氧化铟锡(ITO)膜覆盖,然后使用低温导电(LTC)Ag浆料丝网印刷接触金属栅格以进行电流收集。为了增强ITO层和接触栅格的性能,需要进行
的高缺陷表面部分(表面损伤蚀刻SDE)。 形成特殊的表面形貌(制绒),减少硅片表面(TEX)的光反射。 清洁硅片表面以去除有机和金属杂质。 生产高效SHJ电池需要强化清洁程序 虽然基于

光伏系列报告:产业化加速,HIT正酝酿着突破来源:电新产业研究 发布时间:2019-12-16 11:39:42

,但每1-2nm实现的功能不一样,制备工艺也不一样,因此本征和掺杂非晶硅薄膜需要在多个腔体中完成,PECVD中要导入多腔室沉积系统。 3) 沉积金属氧化物导电层:硅片沉积完非晶硅薄膜
之后就进入PVD或RPD设备,沉积透明金属氧化物导电膜TCO。TCO纵向收集载流子并向电极传输。非晶硅层晶体呈长程无序结构,电子与空穴迁移率较低,横向导电性较差,不利于光生载流子的收集,因此需要在正面