金属氧化物

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首款双层量子点太阳能电池来源:网络 发布时间:2019-04-04 14:29:44

现了一种方法,可以减少层间电阻,这一问题可能会限制两层电池的输出功率。他们引入一个过渡层,构成成分包含四种薄膜状的不同金属氧化物,这就可保持电阻很好而又低,特德萨金特(TedSargent)说,他是
多伦多大学电气和计算机工程教授,领导这项研究。研究人员选择透明的氧化物,用于这一层,使光线可穿过它们,到达底层电池。 这项成果已经介绍过,就发表在本周的《自然光子学》(Nature Photonics

碳纳米管让太阳能电池更加便宜来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2019-04-04 13:47:20

团队利用单壁碳纳米管研制出了可以替代铟锡氧化物的材料,并进一步确定了效率最高的碳纳米管的类型:金属型碳纳米管和半导体型碳纳米管。 研究人员发现,当这两种碳纳米管作为透明导体使用在有机太阳能电池中时,金属型碳纳米管的效率是半导体型碳纳米管的50倍。

效率超过25%的高效电池最新进展及发展趋势来源:光伏测试网 发布时间:2019-03-28 08:47:04

的重要条件。 对于新型的无掺杂硅异质结电池,2014年,Islam等采用金属氧化物作为新型载流子选择性钝化接触层,降低了载流子在PN结中的损失,同时改善了与金属接触的电压降损失,模拟计算的极限效率

【技术】太阳能光谱选择性吸收材料应用分析来源:默菲 发布时间:2019-03-27 14:32:35

动能,而锡镍合金此时是以金属间化合物存在在涂层中的,金属间化合物主要是分子结构不稳定,在一定条件一定时间后,会分解成分子结构更稳定的氧化物,此时选择性功能性就会大幅下降。 五、总结 1.不同的应用

卤化物钙钛矿离子传导的可调光电效应及其对光分解的影响来源:材料牛 发布时间:2019-03-27 11:53:18

质量传输的光效虽然非常吸引人,但很多方面仍是未知的。 已有研究显示光生电子载体用于掺入氧气的氧化物并可能影响其化学计量。在生物电化学中,照明已被证明通过改变离子通道的渗透性来引发神经活动。然而,在这
,表明光激发增强了几个数量级的甲基碘化铅,原型金属卤化物光伏 材料。提供了这种意外现象的基本原理,并表明它直接导致钙钛矿迄今未被考虑的光分解路径。相关成果以题为Large tunable

深圳市扶持光伏等低碳产业 扶持资金最高3000万元来源:深圳发改委 发布时间:2019-01-21 10:11:34

电动汽车、混合动力汽车、燃料电池等新能源整车以电池、电控、电机、充电设备、直流变换器等关键零部件材料、制造和装备。重点支持电动车用大功率IGBT芯片及碳化硅MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管

深圳市扶持光伏等低碳产业,最高3000万元来源:深圳发改委 发布时间:2019-01-20 11:33:05

、电控、电机、充电设备、直流变换器等关键零部件材料、制造和装备。重点支持电动车用大功率IGBT芯片及碳化硅MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片模块等关键零部件,车载储氢系统以及氢制备、储运

沈辉:以硅片技术为基础新型硅基太阳能电池有更大发展空间来源:solarzoom 发布时间:2019-01-11 13:22:56

是非常大的压力。 下一步该怎样做,这么多年我们坚持硅片是基础,在硅片上面我们要找别的材料来做成异质结的材料,没有扩散过程,PVD的方法,就是环保的方法做,我们主要是硫化物、氧化物系列和金属
氧化物金属多层膜系列。 如果公布的话,我们有6项都是世界纪录,但是还未得到大家的认可,都是在实验阶段。 比如说硫化铟这个系列我们是做得最高的,硅片上面镀两个膜,一下就出来了。我们内部都在抓紧

只有远离“一刀切”,清洁取暖才是靠谱的!来源:能源评论•首席能源观 发布时间:2018-12-26 11:20:06

合作中心执行主任陶光远对此表示,天然气燃烧的脱硝工艺造成的氨逃逸可能是主要原因:为了降低氮氧化物要多喷氨水,进而造成氨逃逸,逃逸的氨会与二氧化氮和二氧化硫在燃烧烟气的水雾直接合成为颗粒物硫酸铵和硝酸铵
。 中国建筑节能协会秘书长李德英表示,不能因某种技术的应用效果突出而一哄而上,要避免造成资源浪费。IMSIA国际金属太阳能产业联盟秘书长黄俊鹏认为,衡量供热经济性应该用当量热价(LOCH)这一综合评价指标

电站改造巨量市场!早期电站、问题电站、商用电项目、金太阳、新技术项目……来源:固德威光伏社区 发布时间:2018-09-10 11:28:16

组分为无机氧化物和二氧化钛。在玻璃表面喷涂SSG,可不经过热处理快速形成无机纳米结构的膜层。该膜层不但能增加玻璃的透光率,提高组件的发电效率,还能使光伏组件玻璃表面拥有超亲水能力和自清洁能力,消除灰尘和
电缆在进入和引出桥架时,需穿镀锌钢管或PVC-U管,金属蛇皮管,挠性金属套管或配线槽等保护,在电缆沟埋设深度不低于0.8m。 直流配电柜 集中式逆变器 变压器 技改难点