金属氧化物

电池片上采用了SE技术。 据了解，SE太阳电池是指在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样的结构既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合，提高了
少子寿命，使得短路电流、开路电压和填充因子都能得到较好的改善，从而提高转换效率。 SE技术的主要工艺包括激光掺杂、离子注入、有氧化物掩膜法、丝网印刷硅墨水法等，其中激光掺杂工艺过程简单，只需增加掺杂

依次沉积厚度为5～10 nm 的i-a-Si:H 薄膜、n 型非晶硅薄膜(n-a-Si:H)形成背表面场。在掺杂a-Si:H 薄膜的两侧，再沉积透明导电氧化物薄膜(TCO)，最后通过丝网印刷技术在两侧
的层形成金属集电极。这样电池的结构对称，正反面受光后都能发电，同时组件背板采用2.5 mm 厚的透明玻璃，就制成了双面光伏组件。整个制备过程都是在200 ℃下的温度中进行，以避免高温工艺对硅片造成

发展低成本、连续卷轴印刷工艺。对于印刷薄膜光伏而言，可印刷界面材料是实现高效印刷光伏的关键材料之一。 在有机太阳能电池中常用的溶液法界面材料为金属氧化物纳米材料和聚合物/小分子类有机界面层材料。这两类
界面材料在实际应用中都存在着优缺点，比如金属氧化物纳米材料表面缺陷多，容易聚集;有机类界面材料厚度控制严格，且最优厚度在10 nm以内，不适合于印刷法制备。针对这些问题，中国科学院苏州纳米技术与纳米

性能，本文建立了一个金属氧化物模型来提取出氧化物和硅界面处的固定电荷密度Nf 和缺陷密度Dit，而这两个因素则通过C-V 特性测试图体现出来。先是输入原始界面态的Nf 和Dit 数值、C-V 测试结果

接触电阻的增大，影响电池的串联。选择性发射极太阳电池的结构设计可以很好地解决这一矛盾。选择性发射极(selectiveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂
载流子复合，提高表面钝化效果; (3)增强电池短波光谱响应，提高短路电流和开路电压。 目前选择性发射极的主要实现工艺有氧化物掩膜法、丝网印刷硅墨水法、离子注入法和激光掺杂法等，其中激光PSG掺杂法由于

清洗过程中不采用化学溶剂，例如气相干洗技术、束流清洗技术。气相干洗技术采用气化无水HF与硅片表面的自然氧化层相互作用，可以有效的去除硅片表面的氧化物及氧化层中的金属粒子，并且具有一定的抑制硅片表面氧化
而成，于70℃清洗10min，硅片表面的金属及其化合物产生氧化还原反应，形成金属离子进入到清洗液中，从而有效去除金属杂质。实验表明，当溶液的PH值在3~5.6之间，不仅可以去除金属及其氧化物，而且可以

后与空气中O2直接接触氧化外，焊带在组件内部时已被氧化，且无论表面Sn-Pb 是否腐蚀，焊带表面均存在较多氧化物。Cu元素在湿冻试验的焊带中发现较多，同时此焊带处Pb含量较少，表明焊带表面涂层大部分
已被腐蚀。而湿热试验后的焊带虽从表面外观看腐蚀较严重，但其测试结果中Cu元素含量较少，且其他成分含量较多，推测氧化物较多且迁移进较多其他元素。值得一提的是，无论是湿冻还是湿热试验，腐蚀的焊带中都含有

。 图3 500KW逆变器的直流母线电容组 2.3.1 薄膜电容和电解电容 薄膜电容器是以金属箔当电极，将其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，从两端重叠后，卷绕成圆筒状
价格较高，在2010年左右，有很多厂家用电解电容来做母线支撑电容，导致很多烧毁逆变器的事故。目前整个行业基本上都用薄膜电容做母线支持电容了。 电解电容器通常是由金属箔(铝/钽)作为正电极，金属箔的绝缘

传统背表面场太阳能电池的整个背面金属电极被钝化层或叠层以及许多细小局部栅线电极所替代，则背表面的复合速率将会大幅度降低，电池在长波光段(低能量光子)的光谱响应也将有所提高，从而增加短路电流密度。此外
，开路电压也将因为短路电流密度的增大和二极管背电极复合电流减小而有所提高。通过在背部使用氧化物钝化层和局部扩散电极，结合在前表面采用倒金字塔结构和减反射膜，赵先生和他的合作者在1998年报告了在使用P型