选择性发射极
超过50GW。TOPCon
SE一次激光掺杂设备主要是利用激光能量推动硼原子在硅片内扩散，实现选择性发射极SE结构。这种技术通过在金属栅线与硅片接触区域进行重掺杂、在正面其他区域保持轻掺杂，不仅
可以在电极和发射极之间形成良好的欧姆接触，还可以减少发射极表面少子的复合，从而获得更高的短路电流、开路电压和填充因子，提高太阳能电池的光电转化效率。作为全球光伏激光设备领域龙头企业，帝尔激光在激光
光电转换效率的重要方式，而选择性发射极(SE)
技术有助于提高太阳电池的短波光谱响应。在薄硅太阳电池研发方面，1984 年，Tiedje等 通过数学模拟发现，采用厚度为 100 μm
硅片的
功率质量比和可靠性的要求，依托 p 型 PERC 单晶硅太阳电池的产业化平台，在常规 PERC
太阳电池生产线的基础上增加了选择性发射极 (SE)
技术，并严格按照薄硅“SE+PERC
达到26.1%，再次创造了182及以上尺寸大面积N型单晶钝化接触（TOPCon）电池转化效率新纪录。公告显示，晶科能源研究院率先开发出界面缺陷修复、高透多晶硅膜以及激光选择性发射极技术（SE）基础的超
电池片硅片上印刷更大高宽比的超细栅线，帮助电池实现超细密栅电池，匹配选择性发射极技术，提升太阳能电池效率的同时，大幅度节省浆料耗量20%以上，最终降低电池生产、发电成本。2. 激光转印技术优势
太阳能电池成本和效率的优化创新，具体研究内容包括：①下一代吸光材料开发：包括开发V族元素掺杂剂、掺杂方法优化、掺杂剂活化等;②先进前端接口工程开发：包括N型镁锌氧化物发射极优化、新型发射极材料探索;前端
接口表征与建模评估;③钝化/选择性接触材料：包括电源转换效率改进、双面(正反面吸收光)CdTe材料的开发;④新市场拓展：包括屋顶光伏、建筑一体化光伏。美国国家可再生能源实验室(NREL)将作为资源、支持和
一种背结背接触的光伏电池结构，由SunPower首次提出，距今已有近40年历史。其正面采用SiNx/SiOx双层减反钝化薄膜，无金属栅线;而发射极、背场以及对应的正负金属电极呈叉指状集成在电池背面
无遮挡的IBC，在不损失电流的基础上提高钝化效果和开路电压，继而提高光电转换效率。TBC具有稳定性好、选择性钝化接触优异以及与IBC技术兼容性高等优势。其生产工艺技术难点在于背面电极隔离、多晶硅钝化质量的
，无金属栅线；而发射极、背场以及对应的正负金属电极呈叉指状集成在电池背面。由于正面没有栅线遮挡，因此能够最大限度的利用入射光，增加有效发光面积，减少光学损失，继而达到提高光电转换效率的目的。数据显示
，由TOPCon和IBC叠加形成的TBC，将POLO技术用于正面无遮挡的IBC，在不损失电流的基础上提高钝化效果和开路电压，继而提高光电转换效率。TBC具有稳定性好、选择性钝化接触优异以及与IBC技术
，晶硅电池的效率提升是以采用新钝化技术为特征的。TOPCon具有完美钝化原理，载流子的选择率高，接触电阻低，是目前产业升级完美技术路线。TOPCon电子选择性材料SiOx/n+ Poly-Si与空穴选择性
材料SiOx/p+ Poly-Si结合的载流子的选择性可以达到13.8-14.2，高于电子选择性材料a-Si：H(i)/a-Si：H(n+)与空穴选择性材料a-Si：H(i)/a-Si：H(p+)结合
公司研究院率先研发出硅片吸杂、高激活选择性发射极以及电极区光反射等多项适用于大尺寸的先进技术，以及自主开发的成套HOT高效电池工艺等多项技术创新及材料优化，实现N型TOPCon电池转化效率的重大突破
n型单晶硅i-TOPCon电池效率新的世界纪录。 公司光伏科学与技术国家重点实验室，攻克了选择性硼发射极、大面积隧穿氧化硅及掺杂多晶硅制备、高效氢钝化技术难题；采用可量产电池装备，在210mm大面积
