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苏州大学崔超华 Angew:20.17%!如何精细调控PDINN制备高效有机太阳能电池?来源:钙钛矿人 发布时间:2025-06-24 10:48:35

曲线、(B)λ和n值、(c)TPC曲线、(d)Nyquist图和(e)暗J-V曲线。(f)用于在各种物理测量中比较三种CIL的性能的雷达图。总之,作者利用一种新型的高电子迁移率的多氟取代的酞菁铜衍生物
和导电性、界面偶极子和欧姆接触得到全面优化,从而改善了OSC中的载流子动力学。因此,与PDINN CIL相比,混合CIL导致整体改善的光伏性能和更高的CIL厚度公差。依靠更高的电子迁移率和更低的

马丁格林实验室携手一道新能中央研究院,冲刺40%效率新突破来源:一道新能 发布时间:2025-06-23 13:15:44

效应,能够大幅提升太阳能电池的效率;二是深入开展了SFOS电池中间层材料技术研究,作为衔接底部TOPCon电池与上层多光子层的核心部分,该中间层材料能够高效促进多光子层产生的载流子向PN结快速迁移并被

人民网:新技术提高钙钛矿太阳能电池稳定性来源:人民网 科技日报 发布时间:2025-06-18 16:02:36

效率媲美。但较差的长期工作稳定性,对钙钛矿光伏技术的商业化提出了严峻挑战。器件中每一个功能层及其界面,都与电池的长期稳定性密切相关。对此,陈江照、何冬梅团队报道了一种通用的离子迁移抑制策略来稳定多个
功能层,通过杯芳烃超分子的主客体作用,同时抑制多种化学物种的迁移。研究人员基于两步法制备的4-叔丁基杯芳烃掺杂的正式电池,实现了26.01%的效率,这是基于二氧化钛的平面正式电池报道的世界纪录效率。新型

19亿!陕西建工安装集团中标宁国运盐池惠安堡1.02GW光伏总包项目来源:索比光伏网 发布时间:2025-06-18 14:54:14

的要求及验收;完成竣工验收所涉 及到的所有工作(包括但不限于:项目临时场地征用及清理费、牧草地地补偿、施工场地租用费、植被恢复费、厂矿迁移补偿、水土保持补偿费用以及项目投产所需的各类检查、检验、验收及

山东定稿!分布式光伏自用不低于50%、余电全部进现货来源:山东省发改委 发布时间:2025-06-18 14:52:30

工作人员应当依法对项目进行备案,不得擅自增加备案文件要求,不得超出办理时限。除法律法规明确规定外,不得要求企业必须在某地登记注册,不得为企业跨区域经营或者迁移设置障碍,不得以备案、认证、要求设立分公司等形式
并网调度协议和购售电合同。第三十六条分布式光伏发电项目连续六个月未发电且现场发电设备已拆除的,由电网企业告知项目投资主体或向社会公示后,进行销户处理。在已销户地址重新建设或迁移安装地址的,须重新

Nature:116.7万 cd m⁻²亮度!18.56万小时稳定性!弱空间限域全无机钙钛矿用于发光二极管来源:无机钙钛矿太阳能电池 发布时间:2025-06-18 11:28:29

,大多数强空间限制的钙钛矿都存在严重的俄歇复合、离子迁移和热不稳定性问题,导致亮度和工作寿命受限。鉴于此,2025年6月11日中科大Zhengguo Xiao等于Nature刊发,报道了一种基于弱空间限
域、大晶粒全无机钙钛矿晶体的替代策略。使用牺牲添加剂次磷酸和氯化铵来诱导溴化铯铅的成核和结晶,从而得到具有最小陷阱密度和高光致发光量子产率的单晶颗粒。得益于高载流子迁移率和抑制的俄歇复合,我们获得了

辽宁辽阳市:大力支持风、光等清洁能源实现跨越式发展来源:辽阳市人民政府 发布时间:2025-06-17 14:01:29

。公告前,在划定的电力设施保护范围内,依法拥有的建筑物、构筑物、植物,因电力设施建设需要拆除、迁移、修剪、砍伐的,电力设施建设单位应当按照国家有关规定给予一次性补偿,并依法办理相关手续。公告后,在划定的

天津大学张海华&首都师范大学付红兵《AM》|Rb-Cs合金化准二维钙钛矿中实现低阈值、高光谱稳定性可调放大自发发射来源:发光材料与器件应用 发布时间:2025-06-17 09:39:04

蓝绿激光器在众多领域应用广泛,但传统 III-V 半导体激光器存在制造复杂、成本高、带隙调节困难等问题。混合卤化物钙钛矿具有可调带隙和低成本溶液加工的优势,但卤素迁移导致的谱稳定性差限制了其应用
。此外,该材料表现出优异的谱稳定性,即使在长时间热退火后,ASE 谱依然稳定,克服了卤素迁移引起的降解问题。图 1. a, e) 通过部分替换Cs+离子为Rb+离子,实现的Rb-Cs合金化准二维钙钛矿

天津大学张海华&首都师范大学付红兵最新AM:在Rb-Cs合金准二维钙钛矿中实现低阈值和优异光谱稳定性的可调谐放大自发发射来源:印刷钙钛矿光电器件 发布时间:2025-06-17 09:03:17

,但卤化物迁移会导致光谱不稳定和发光偏移。鉴于此,天津大学张海华和首都师范大学付红兵等人在期刊《Advanced Materials》发文,题为“Achieving Tunable
),彻底规避卤素迁移导致的光谱不稳定性(图 5d-f)。2. 量子阱分布优化与能量转移增强:Rb⁺ 掺入调控量子阱相分布,促进中等 n 值量子阱(n=2,3)形成,优化能量漏斗结构(图 2e),加速

Nature Electronics | 二维材料迈入“无污染”时代:无需光刻剂的图案化技术实现可扩展异质结构制造!!来源:低维材料前沿 发布时间:2025-06-16 09:28:59

,交联过程对材料的表面形貌、电学性能几乎没有负面影响。MoS₂薄膜表现出优异的电子迁移率,石墨烯层展现出低接触电阻和高导电性,而交联后的HfO₂层则拥有高击穿电压和稳定的电容值,性能媲美最先进的溶液处理型
具有20.3 cm²/V·s 的高迁移率、开关比高达10⁶,同时还具备低迟滞和低温加工等优点,显示出良好的工艺兼容性和工业应用前景。值得一提的是,该方法所实现的二维图案尺寸可以小至5微米,精度足以