表面等离子

丝网印刷外延电池的Jsc达到30 mA/cm2，效率达到13.8%。 　　对这些结果有贡献的第一项改进是采用氟基等离子体粗糙处理得到的表面光散射（图3）。理想情况下，这种经过粗糙处理的有源层表面会使光

活性粒子Si、H、SiH2 和SiH3等； 2.活性粒子在衬底表面的吸附和扩散； 3.在衬底上被吸附的活性分子在表面上发生反应生成Poly-Si层，并放出H2；研究表面，在等离子体辅助沉积过程中

，载流子迁移率不够大而使其在器件应用方面受到一定限制。虽然减少硅烷压力有助于增大晶粒尺寸，但往往伴随着表面粗糙度的增加，对载流子的迁移率与器件的电学稳定性产生不利影响。 固相晶化(SPC
，其利用瞬间激光脉冲产生的高能量入射到非晶硅薄膜表面，仅在薄膜表层100nm厚的深度产生热能效应，使a-Si薄膜在瞬间达到1000℃左右，从而实现a-Si向p-Si的转变。在此过程中，激光脉冲的瞬间

替代产品，其中多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池是较好的选择。 　　制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺。多晶硅
型聚合物的不同氧化还原电势，在导电材料(电极)表面进行多层复合，制成单向导电装置。这种电池的优点是有机材料柔性好，制作容易，材料来源广泛，成本低等，但是，其使用寿命和电池效率都不能和无机材料特别是

目前，制备多晶硅薄膜的工艺方法主要有以下几种： （１）化学气相乘积法（ＣＶＤ法） （２）等离子体增强化学气相沉积法（ＰＥＣＶＤ法） （３）液相外延法（ＬＰＥ） （４）等离子体溅射沉积法
化学气相沉积（ＣＶＤ）法就是将衬底加热到适当的温度，然后通以反应气体（如ＳＩＨ２ＣＬ２、ＤＩＨＣＬ３、ＳＩＣＬ４、ＳＩＨ４等），在一定的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在衬底表面。这些反应的温度通常

，窗口效应的利用等是影响电池性能的主要因素。 为了制备太阳电池，在CdS膜表面喷涂转型物质，如含Cu+的氯化亚铜溶液，或采用常规浸泡工艺，使之形成一定厚度的Cu2S层，并经热扩散等工艺和喷涂金属
最高效率为7．8％。 长春应化所王给祥等人，改进了蒸发工艺，对Cu2S层进行HCI腐蚀，使表面形成绒面织构，所获得的Cu2S/CdS太阳电池最佳有效面积转换效率为8．9％。 1.5

相当。 交替淀积与氢处理则是，重复进行交替的薄膜淀积与氢等离子体处理，这是上述两种方法的结合。脉冲氖灯光照法是在一层一层生长a-Si薄膜的间隔，周期地用脉冲氖灯光照处理薄膜表面，其稳定性有
采用辉光放电（GD）或等离子体增强化学气相沉积（简为PECVD）制备了氢化无定形硅（a一Si：H）薄膜。这种方法采用射频（直流）电磁场激励低压硅烷等气体，辉光放电化学分解，在衬底上形成a七i薄膜。开始

。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可
空间应用不断扩大，工艺不断改进，电他设计逐步定型。这是硅太阳电池发展的第一个时期。第二个时期开始于70年代初，在这个时期背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中

薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池是较好的选择。　　制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺。多晶硅薄膜电池由于所使用的硅材料
导电材料（电极）表面进行多层复合，制成单向导电装置。这种电池的优点是有机材料柔性好，制作容易，材料来源广泛，成本低等，但是，其使用寿命和电池效率都不能和无机材料特别是硅电池相比。因此，聚合物太阳能电池

等离子体处理。这是上述两种方以结合。脉冲氖灯光照法是在一层一层生长a-Si薄膜的问隔，周期地用脉冲氖灯光照处嘟膜表面，稳定性有显著提高。在制备a-Si的源气中加入适量的四氟化硅就可实现a-Si以．掺氟使
生长a一Si薄膜的间隔，用原子氢或激活的Ar、He原子来处理薄膜，使表面结构弛豫，从而减少缺陷和过多的氢，在保证低隙态密度的同时，降低做衰退效应，这里，化学处理粒子是用附加的设备产生的。 氢稀释