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四川首个近零能耗大型教育类建筑!龙焱燚瓦助力树德中学打造绿色校园来源:龙焱能源科技 发布时间:2025-07-10 16:07:15

,助力其成功获得“近零能耗建筑设计阶段标识”。燚瓦的核心优势高效发电,降低能耗:燚瓦采用先进碲化镉薄膜光伏电池技术,光电转换效率高,年发电量可满足校园部分用电需求,大幅降低运营成本。建筑一体化设计,兼顾

聚合物模板仿生矿化成核及无溶剂技术实现高性能钙钛矿太阳能电池来源:钙钛矿材料和器件 发布时间:2025-07-10 15:23:14

功能性生物聚合物羧甲基壳聚糖(CMC),以促进均匀的垂直成核。此外,CMC可以改善钙钛矿薄膜质量,钝化界面缺陷并减轻残余应力。最后,采用无溶剂法制备的含有CMC的钙钛矿太阳能电池表现出25.12%的显著

CPIA:我国钙钛矿太阳能电池发展情况来源:钙钛矿材料和器件 发布时间:2025-07-10 15:20:25

Cells-PSC)是指使用“具有钙钛复合氧化物(CaTiO3)具有相同的晶体结构的有机金属卤化物、无机金属卤化物、有机/无机金属卤化物”作为光敏层的一类薄膜太阳电池。(二)技术研发进展1.
:64.98 cm2),也由南京大学和仁烁光能保持。钙钛矿太阳电池与其他薄膜太阳电池所组成的叠层电池也有相关研究,钙钛矿/铜铟镓硒叠层太阳电池的世界最高纪录效率为24.2%(面积:1.045

温控器领导品牌宇电用"精密温控"撬动半导体产业自主可控来源:宇电科技 发布时间:2025-07-10 15:18:22

布局与长远规划。破局:顺势挺进制造业“金字塔”在半导体芯片制造的复杂流程中,精密温度控制技术是确保芯片良率与性能的关键因素。从光刻、刻蚀、薄膜沉积等前道工艺,到固晶、塑封、测试等后道环节,几乎每个环节
都对温度精度有着严苛要求。哪怕是微小的温度波动,都可能导致线路图案失真、薄膜厚度不均等问题,给企业带来百万甚至千万元以上的损失。因此,温控器的精度、稳定性和可靠性直接关系到半导体生产的质量与效率。精密

使用纳米SnO2 与溶胶-凝胶SnO2双层电子传输层的背接触钙钛矿太阳能电池(BC-PSC)来源:钙钛矿材料和器件 发布时间:2025-07-10 15:09:11

和溶胶-凝胶SnO2开发了电子传输层(ETL),通过简单的旋涂方法形成双层。这种配置可在钙钛矿/ETL 界面处产生均匀的薄膜,降低陷阱密度并优化能级对准,从而促进高效的电荷转移。使用导电原子力

中科院长春应化所&隆基Science双自由基自组装分子助力钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池效率突破34.2%来源:太阳能电池札记 发布时间:2025-07-10 14:29:36

位阻设计使双自由基分子展现出更致密、均匀的界面层三、界面工程:与钙钛矿的完美协同双自由基SAMs显著改善钙钛矿薄膜质量:抑制分子堆叠:RS-2的二聚化能比MeO-2PACz高,溶液加工性更优提升薄膜

投资50亿!年产3GW!西南一钙钛矿太阳能电池组件项目将解决2000+就业来源:钙钛矿与OPV薄膜太阳能 发布时间:2025-07-10 11:51:07

近日,记者从白沙工业园发展中心获悉,年产3GW钙钛矿太阳能电池组件西南基地项目表现尤为亮眼——完成投资1.4亿元,投资完成率达46.43%,成为拉动园区投资增速的“头号引擎”。年产3GW钙钛矿太阳能电池组件西南基地项目总投资50亿元、占地260亩的标杆项目已进入全面建设快车道,场地基础开挖及支护桩浇筑已完成工程总量的25%,为后续主体施工奠定坚实基础。建成后将成为西南地区最大的钙钛矿太阳能电池生产

意大利科学家实现钙钛矿太阳能电池水下高效发电来源:恰逢小友初见 发布时间:2025-07-10 11:21:26

封装领域。该封装层像一层坚韧透明的“防水服”,有效阻隔水分子渗透,保护内部脆弱的钙钛矿活性层。实验证实,经过PIB封装的电池在水下浸泡120小时后,钙钛矿薄膜结构保持完好,且通过了严格的铅泄漏安全测试

用于高效率、超稳定钙钛矿太阳能电池的局域相位调制异质结构韩国蔚山国立科学技术院&高丽大学来源:钙钛矿学习与交流 发布时间:2025-07-10 11:12:04

PCE。1. 研究背景与挑战钙钛矿太阳能电池(PSCs)作为新兴光伏材料,功率转换效率(PCE)快速提升,但溶液法制备的钙钛矿薄膜存在结构缺陷(如空位、间隙、取代缺陷),导致离子迁移、复合损失
蒸发,厚度 100 nm(图案化)。注:两种结构的制备过程中,仅 CY 的有无为变量,其他步骤(如清洗、旋涂参数、退火条件)严格一致。图文信息图 1. CY 的化学结构及 CY 对钙钛矿薄膜可能的局域

隆基绿能最新 Nature:认证34.58%!代号HTL201!不对称SAMs用于高效钙钛矿/硅叠层太阳能电池!来源:钙钛矿人 发布时间:2025-07-10 10:51:12

,HTL201分子表现出最小化的空间位阻和改善的透明导电氧化物(TCO)复合层的覆盖率。HTL201和钙钛矿薄膜之间的强配位相互作用有效地减少了埋界面处的非辐射复合。值得注意的是,钙钛矿和HTL201之间的
SAM对电荷载流子动力学的影响。a、PLQY是沉积在各种SAM涂覆的纹理化硅基板上的钙钛矿薄膜。b、在具有不同SAM涂覆的纹理化硅基板的钙钛矿薄膜的情况下的QFLS。c、伪FF(pFF)和实际FF值之间