钙钛矿/有机叠层太阳能电池是突破单结器件效率极限的潜力路径,然而其性能受限于有机子电池中的复合损失。当给体含量不足时,受体分子易发生聚集,破坏分子堆叠并降低结晶度。这些形貌变化阻碍了激子解离,进而导致电荷复合并降低整体器件性能。通过优化薄膜形貌与结晶过程,我们成功降低了复合损失,实现了效率高达26.42%的钙钛矿/有机叠层太阳能电池。
溶液法制备的钙钛矿太阳能电池具有大规模生产的巨大潜力,但制备大面积高结晶度的钙钛矿薄膜仍是一个主要挑战。功能性氟基团与钙钛矿物种的协同配位作用限制了复杂中间相的形成,并促进了具有高结晶度和高相纯度的空间定向钙钛矿薄膜的形成。
金属卤化物钙钛矿薄膜的制备目前严重依赖反溶剂的使用。本研究提出了一种真空淬火结合晶体生长调节剂的方法,该方法无需反溶剂和二甲基亚砜,通过形成含非晶态络合物的中间膜,实现了对锡钙钛矿晶体生长的调控。大面积制备与模块化应用:实现了最大7.5×7.5cm的均匀锡钙钛矿薄膜制备,并成功构建了活性面积为21.6cm的七电池模块,展示了其良好的可扩展性与产业化潜力。
尹志刚教授等人近期开发出氯化锌掺杂新型柔性聚电解质杂化介电薄膜材料,并用于设计和制造多级非易失性低电压柔性有机场效应晶体管存储器。这一创新研究成果,展示了新型柔性聚电解质杂化介电材料及其低功耗OFET存储器在信息感知、存储与计算领域的诱人应用潜力。通过调节栅极电压,成功调控新型聚电解质杂化介电薄膜中的离子迁移能力,从而赋予柔性OFET存储器出色的存储能力。
考虑到移动或可穿戴系统对低压设备操作和超低功耗的严格要求,小截止状态漏电流和小亚阈值摆动至关重要。在玻璃基板上制造的n沟道ActivInkN1100TFT的传输和输出特性除p沟道TFT外,还使用PolyeraActivInkN1100作为半导体制造n沟道有机TFT。结论展望本文报道的纳米级TFT和反相器是使用电子束光刻技术制造的。虽然电子束光刻的主要缺点是其低吞吐量,但这并不排除使用电子束光刻在更大规模上制造有机TFT和电路的潜力。
为此,研究者寻找了有效的高度挥发性主要溶剂和路易斯碱添加剂的组合,以实现无抗溶剂的锡钙钛矿薄膜制备。因此,1-乙烯基咪唑被选为晶体生长调节剂,并进行了进一步研究。中间相的表征真空淬火后的薄膜呈现棕色半透明的外观,与退火后获得的黑色钙钛矿薄膜不同,表明形成了中间相。这些结果表明,V-CGR方法适用性广泛,无论下层的疏水性或钙钛矿的组成如何,均能有效应用。
作为电离物理气相沉积领域的专家,瑞典Ionautics携HiPIMS系列高端镀膜设备及技术解决方案亮相,集中展示其在薄膜沉积领域的技术积累与研发实力。展会期间,Ionautics的创新产品与技术吸引了众多业内关注。通过此次展会,Ionautics不仅展示了其技术实力与产品优势,也与众多行业伙伴建立了紧密联系,为未来的合作奠定了坚实基础。CIOE2025虽已圆满落幕,但Ionautics在光电涂层技术领域的探索与创新仍在不断推进。
近日,江苏省科学技术厅发布了2024年度省科技重大专项立项结果由方昇光电联合苏州大学申报的“大面积薄膜叠层光伏组件的关键设备开发”项目成功获批立项!苏州大学作为该项目的牵头单位,方昇光电为主要承担单位。苏州大学与苏州方昇光电股份有限公司完成大面积商用薄膜型叠层光伏组件产业化技术及关键装备研发产学研项目的签约。
本研究香港理工大学严晋跃和刘俊威等人设计了一种湿敏光调控薄膜,将日间光调节与夜间湿度控制相结合,以实现建筑节能与隐私保护。其除湿与降温性能在连续300次循环中保持稳定,表现出优异的操作稳定性。此外,MRLR薄膜采用低成本、环保材料制备,具有可扩展的工艺和良好的可制造性。低成本与高应用潜力:制造成本仅13.82美元/平方米,投资回收期34天,全球建模显示年节能24.57%,减排18.88kg/,具备大规模推广价值。
本文西安石油大学武晓朦、西安电子科技大学朱卫东和张春福等人提出一种自缓冲分子迁移策略,通过引入溴化正丁铵屏蔽层,减缓分子间交换反应,限制水分扩散进入中间相薄膜。该策略显著拓宽了空气中钙钛矿结晶的成核时间和湿度窗口。文章亮点总结提出自缓冲分子迁移策略:通过旋涂BABr屏蔽层,有效抑制钙钛矿中间相与环境中水分的快速交换反应,显著拓宽成核时间和湿度窗口。