薄膜废物

；6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp；7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求；2.
他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足《硅多晶》（GB/T12963）2级品以上要求；2.多晶硅片（含准单晶硅片

能不低于200MWp;6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp;7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。(四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1级品的
)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。(五)新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足《硅多晶》(GB/T12963)2级品以上要求;2.多晶硅片(含准

能不低于200MWp；6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp；7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的
）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足《硅多晶》（GB/T12963）2级品以上要求；2.多晶硅片（含准

能不低于200MWp； 6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp； 7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。 点评：这些标准都是入门级的标准，在当前全球80GW的总产能，50GW有效
多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%； 5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10

能不低于1000吨； 4.硅片年产能不低于5000万片； 5.晶硅电池年产能不低于200MWp； 6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp； 7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp
%； 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%； 5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8

晶硅电池组件年产能不低于200MWp；7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求；2.
和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜

价格的技术。改进技术将帮助企业削减成本，提高利润并最终增强其竞争优势，这种良性循环才有可能为制造商和设备供应商双方提供发展机会。资本转移总体而言，IHS预测对集中性太阳能（CSP）和薄膜技术制造能力的
投资将会急剧下降，资本投资将转向铸锭、切片和组件设备。兴趣领域可能包括可以降低成本、减少废物量的技术，例如直接凝固、外延硅、准单晶硅锭生长、抗反射涂层等。所有这些技术的市场份额将稳步扩大，可帮助制造商提高成本效益。（译/Viki）

。去年十一月，科罗拉多州公共卫生和环境部(CDPHE)开始意识到，该碲化镉薄膜制造商的工厂及仓库剩余的电池板构成潜在危害。CDPHE乔席费林(Joe Schieffelin)表示，少量数百加仑的危险化学品
凝土中。当你谈论一个无机产品，如太阳能电池板时，在地下处置是唯一使得这些东西安全的方式，这是封装的一种，无论他们是将电池板置于混凝土中，或是打磨成小块并混合至水泥粉尘中。全球领先的碲化镉薄膜制造商

索比光伏网讯:一、电池组件（一）性能要求1、晶体硅组件全光照面积的光电转换效率（含组件边框面积）14.5%，非晶硅薄膜组件7%，CIGS薄膜组件10%。2、工作温度范围为-40℃～+85℃，初始功率
（出厂前）不低于组件标称功率。3、使用寿命不低于25年，质保期不少于5年。晶体硅组件衰减率在2年内不高于2%，25年内不高于20%。非晶硅薄膜组件衰减率在2年内不高于4%，25年内不高于20%。4

。薄膜太阳能板一般仅需汇流排。互连带直接焊在硅晶体上把太阳能板中的太阳能电池互相连接起来。互连带将太阳能电池产生的电流带到PV汇流排上。PV 汇流排是绕太阳能板周边安装的热浸镀锡铜导体。PV汇流排把互连
前要求酸洗、冲洗和助焊剂。这些湿法工艺不仅有环境问题；它们对操作人员也是有害而令人生厌的。锡池的助焊剂污染导致高成本的焊剂废物。湿法工艺的使用也产生许多必需精密控制的生产参数。允差要求严格的昂贵精密