薄晶体

发展到未来的210mm×210mm硅片等)、薄硅片(300μm—270μm—240μm—200μm—180μm)工艺等，以节约硅材料降低成本；带废气排放收集处理装置，降低废气及中间生成污染物排放，满足
对相关铸锭、切割等生产设备的巨大需求。 　　3.薄膜太阳能电池生产设备 　　为进一步降低电池生产成本，提高电池转换效率，晶体硅薄膜太阳能电池的研究日新月异，非晶硅薄膜太阳能电池的发展也突飞猛进

，但并不大，且具备性价比优势，借助硅材料短缺的契机，该设备已形成批量生产，占据国内市场并少量出口。 　　研发大尺寸薄硅片自动化设备 　　光伏电池制造设备的发展目的是为了提高电池的最终产品质量、光电转换
)、薄硅片的工艺技术设备(目前主流硅片厚度为210μm-240μm)，以节约硅材料降低成本。 　　其次，提高单机自动化水平，增加批次装片量，以提高单机生产效率。以目前主流的多晶硅156mm×156mm

际先进水平有差距，但并不大，且具备性价比优势，借助硅材料短缺的契机，该设备已形成批量生产，占据国内市场并少量出口。 　　研发大尺寸薄硅片自动化设备 　　光伏电池制造设备的发展目的是为了提高电池的最终
×210mm方硅片等)、薄硅片的工艺技术设备(目前主流硅片厚度为210μm-240μm)，以节约硅材料降低成本。 　　其次，提高单机自动化水平，增加批次装片量，以提高单机生产效率。以目前主流的多晶硅

构成材料成本的主体，分别占到消耗材料总成本的45.4%和38.2%。 消耗材料的成本还可以进一步降低，如将碲化镉薄膜的厚度减薄1微米，则碲化镉材料的消耗将降低20%，从而使材料总成本降低
。 考虑工资、管理、电力和设备折旧等其他成本，碲化镉薄膜太阳能电池的成本大约是每峰瓦13.64元人民币或更低。因此，即使销售价格为每峰瓦20~22元人民币，约为晶体硅太阳能电池现在价格的

产生位错，这些位错必须利用缩劲生长使之消失掉。缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（4-6mm）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的
晶体。 　　（4）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。 　　（5）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负2mm之间

倍。其在玻璃等基板上长成厚度约1微米左右的非晶硅薄膜，就可以把光的能量有效吸收。 非晶硅薄膜电池比晶体硅电池薄100倍，这些薄膜可附着在廉价的基片介体如玻璃、活性塑料、或不锈钢等之上，变化极为多样

.晶体硅薄膜的制备方法及晶体硅薄膜太阳电池 为了进一步降低晶体硅太阳电池的成本，近几年来，各国光伏学者发展了晶体硅薄膜太阳电池。即将晶体硅薄膜生长在低成本的衬底材料上，用相对薄的晶体硅层作为太阳

a一Si太阳电池 太阳电池在70年代中期诞生，这是科学家力图使自己从事的科研工作适应社会需求的一个范例。他们在报告中提出了发明非晶硅太阳电他的两大目标：与昂贵的晶体硅太阳电池竞争；利用非晶硅
太阳电池发电，与常规能源竞争。 70年代曾发生过有名的能源危机，这种背景催促科学家把对a-Si材料的一般性研究转向廉价太阳电池应用技术创新，这种创新实际上又是非晶半导体向晶体半导体的第三次挑战

5．晶体硅太阳电池及材料引言 1839年，法国Becqueral第一次在化学电池中观察到光伏效应。1876年，在固态硒（Se）的系统中也观察到了光伏效应，随后开发出Se／CuO光电池。有关硅
（LBSF）电池等。我国在“八五”和“九五”期间也进行了高效电池研究，并取得了可喜结果。近年来硅电他的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区太阳电池（PESC）的薄氧化层（＜10nm）发展到

五、光伏系统BIPV应用1、定义使光伏发电与建筑相结合，让光伏部件作为建筑物的一部分，或把光伏部件作为建材的一部分。而光伏部件即是指由各种晶体硅太阳电池、薄膜太阳电池组成的光伏列阵。2、目的利用
建材化（4）光伏组件大型化（5）光伏组件/微型高效逆变器一体化（6）光伏组件/薄型蓄电池一体化（7）组件形式及功能多样化（8）组件生产自动化 六、光伏政策1．中华人民共和国可再生能源法2．德国