薄晶体
构造，其特征是以光照射侧的p-i型a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)和背面侧的i-n型a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成具有对称结构的HIT
衬底在高温处理中的性能退化，从而允许采用低品质的晶体硅甚至多晶硅来作衬底。
高温环境下发电量高，在一天的中午时分，HIT电池的发电量比一般晶体硅太阳电池高出8-10%，双玻HIT组件的发电量高出
：2017年第四季度制造设备的订单量比第三季度减少41%。其中薄晶体硅PERC电池和黑硅电池的订单最多。 德国供应商的出口比创下了93%的新纪录，其中62%的订单来自中国工厂，美国是第二大客户，订单
实现产业链整合、降低成本的重要影响因素。企业竞争力的提升最终归于技术进步与创新。技术创新的重点领域应在于重点推进晶体桂材料提纯技术、光伏电池转化效率技术的提升，开发新型应用技术，减少产业链条的能源消耗
，或者走国内联合幵发的道路。
在现在太阳能电池髙成本的推动下，桂片制备的技术进步很快，鞋片越来越薄，成本越来越低。因此投资多晶桂片的制备要注重技术的引进和消化吸收，做好技术积累。另外，可以投资多晶桂
存在差异，其原因在于材料的不同，薄膜太阳能电池采用了不同的化合物。
传统的太阳能板用的是晶体硅(C-Si)，这项技术已经发展多年，比较成熟可靠。值得注意的是，虽然C-Si具有较高的能量
转换效率，但是实际吸光效率较差，这就意味着太阳能板必须足够厚，才能提高实际效率。
与此不同的是，薄膜技术可以混搭多种元素，比传统太阳能板薄350倍左右，通过在玻璃、金属、塑料等材料表面镀膜或者沉积就可以
此次获奖专利，首次提出了一种抗PID晶体硅太阳能电池的制作方法。本专利通过臭氧氧化的工艺，在硅基底与氮化硅之间迅速的生成一层薄而致密的氧化硅层，该氧化硅层既满足抗PID的需求，又避免了氧化硅层过厚带来
近日，国家知识产权局公示了第十九届中国专利奖获奖项目。阿特斯阳光电力集团的发明专利 一种抗PID晶体硅太阳能电池制作方法 荣获第十九届中国专利优秀奖。中国专利奖是国家专利领域的最高奖项。
阿特斯
(R) 太阳能电池组件。 HIT(R) 太阳能电池组件采用的是薄单晶矽晶片，外膜是超薄非晶矽层，转换效率高且温度特性出色。与传统晶体元件相比，同样的屋顶面积，该产品的输出功率更高。该公司今年还将展示其
TUV SUD在常州火热举办的IEC 61215新标预热大会后，再次为现场两百多名与会嘉宾带来了一场权威专业的光伏技术分享，着重就集中发布的地面用晶体硅光伏组件国际标准，如新增的IEC 61730与
逐渐下跌，行业针对光伏组件生产体系制定了IEC 62941标准。本次会议中，TUV SUD中区智能电力与光伏技术经理薄祥喜针对IEC 62941标准，全面解读了地面组件-增强PV组件设计鉴定和型式批准
展示了650V TRENCHSTOP 5。新一代的薄晶圆IGBT绝缘栅双极型晶体管TRENCHSTOP 5自从2012年秋季推出以来，已经获得了巨大的市场关注，它被认为是一种革新的技术。如今已有400
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金刚线切割硅锭
金刚线切割硅锭
应用场景：金主要应用市场为蓝宝石切割和晶体硅切割。
太阳能光伏用晶硅片：而应用于晶体硅片的切割2010 年才刚刚开始
LED 用蓝宝石衬底：金刚线
规模应用于蓝宝石切割始于2007 年
从目前金刚石线需求最大的两大下游行业分析，蓝宝石切割与晶体硅切割对金刚石线的技术规格要求不尽相同。
单晶产业应用：基本普及
历史：单晶行业率先推广
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金刚线切割硅锭
应用场景：金主要应用市场为蓝宝石切割和晶体硅切割。
太阳能光伏用晶硅片：而应用于晶体硅片的切割2010 年才刚刚开始
LED 用蓝宝石衬底：金刚线规模应用于蓝宝石切割
始于2007 年
从目前金刚石线需求最大的两大下游行业分析，蓝宝石切割与晶体硅切割对金刚石线的技术规格要求不尽相同。
单晶产业应用：基本普及
历史：单晶行业率先推广金刚线切割
