缺陷

程度的表面损伤，同时薄膜中有较高含量的氢， 容易和空位形成氢一空位对{V. H}+。空位还能增强氢的扩散，使氢与缺陷及晶 界处的悬挂键结合，从而减少界面态密度和复合中心。正电荷{V. H}+也改善
氮化硅膜后，单晶硅少子寿命的提高主要是因为好的表面钝化。 对于多晶硅和其他低质量的硅片(如硅带)，因为体内具有大量的空位、缺陷和晶界等，除了表面钝化效果。因此，低质量硅片的氢钝化效果更明显。 3

形状不仅影响晶体中杂质径向分布均匀性，而且影响点缺陷、热应力和位错缺陷的形成和分布。而结品面形状直接受到坩场内熔体流动的影响，特别是界面附近处熔体的流动。随着产业界对降低单晶硅生产成本的迫切需求，采用

变得更加有效。Trancik解释说，像这样的因素属于一种处理物理产品本身的低级机制。 该团队还估算了高层机制的成本影响，包括边做边学，研究和开发以及规模经济。例子包括改进的生产工艺减少了生产的缺陷

检查及维修 检查维修项目：组件边框、玻璃、电池片、组件表面、背板、接线盒、导线、铭牌、光伏组件上的带电警告标识、边框和支撑结构、其它缺陷等。 若发现下列问题应立即调整或更换光伏组件： (1
检查维修项目：光伏方阵整体、受力构件、连接构件和连接螺栓、金属材料的防腐层、预制基座、阵列支架、等电位连接线、接地可靠性，其它缺陷等。 5.阵列定期测试 光伏阵列应满足以下要求： (1)光伏方阵

Wenham 提出的木桶理论比喻完美的总结了这一现象。 这是因为在大多数情况下, 背面钝化是由相当厚的 (相对于正面钝化) 富氢电介质实现的。释放的氢进入硅块, 形成弱氢键，钝化了缺陷部位。这些氢键
很容易由于温度和光照受到破坏, 以更快的速度释放弱键氢, 从而导致衰减。 随着时间的推移, 恢复进程被激活，然后达到饱和状态。释放的氢又会形成氢键，稳定的氢键会钝化缺陷部位。在LeTiD测试工况下

：180日历天; 第二标段服务期限：20年; 第三标段：施工工期及缺陷责任期; 2.8质量要求： 第一标段：设计符合规范、有关政策及法律法规的要求;施工满足设计及有关规范要求，竣工移交验收质量评定

30W+。可靠性方面，多晶高效组件解决了多晶背钝化载流子诱导衰减问题：采用掺镓硅片可解决初始户外光衰问题，开发缺陷饱和技术解决红外衰减问题和电致衰减问题，并通过了国际标准老化测试。正泰

了该缺陷的结构(2003)。Axel Herguth提出了再生态理论解释初始光衰后功率恢复并保持稳定的原理(2006)。P型多晶硅电池的衰减则因氧含量相对少而恢复过程不明显，该衰减被认为不仅与B-O对
激光开槽处才能传输到背面的铝电极，因此缺陷与杂质会引起更加明显的光衰。如下图所示，P型单晶PERC电池的光衰均高于常规单晶，P型多晶PERC电池的光衰也高于常规多晶，单晶PERC电池光衰达到3%后开始恢复

也许也会在n-型硅中出现。通过控制烧结条件和扩散发射极层，UNSW找到了在n-型硅中诱导和调整光热衰变缺陷的方法。基于这些方法，他们将在报告中讨论这些发现对于n-型和p-型晶体硅的技术发展意义。