非掺杂
Pb 结合，减少陷阱态，抑制复合(非辐射复合损失 ΔVocⁿᵒⁿʳᵃᵈ降至 42.6 mV)。电荷传输：优化能级匹配，提升载流子迁移率，延长激子寿命(CY 掺入膜为 22±2 ns，对照为 13±1
掺杂氧化锡玻璃(FTO)清洗：依次用去离子水、丙酮、异丙醇(IPA)超声清洗，随后进行 O₂等离子体处理 5 分钟。TiO₂层制备平面 TiO₂层：通过旋涂钛酸四异丙酯双 (乙酰丙酮) 的乙醇溶液(体积
，实现 WBG 薄膜出色的卤化物均匀性和精确的结晶控制。NCNT
同时诱导 p 型掺杂并降低钙钛矿/C60 界面能垒，显着增强电荷提取。值得注意的是，通过这种方法制造的 1.68 eV WBG
)策略来制备具有上级卤素均匀性和晶体学取向的混合卤化物钙钛矿薄膜。通过使用非晶相CsPb(I
1-xBrx)3作为晶核模板，该方法抑制了富Br畴的形成并消除了
CsPbI₂Br钙钛矿太阳能电池因其优异的光热稳定性和令人瞩目的光电转换效率而备受关注。然而，CsPbI₂Br钙钛矿薄膜中存在大量配位不足的Pb²⁺离子，导致严重的非辐射复合损失，且该薄膜的湿度
，掺杂剂中的氟原子有助于产生疏水效果，从而提高器件的湿度稳定性。另外，研究发现添加AAH显著减缓了钙钛矿的结晶速率，使得晶粒尺寸更大，薄膜质量大幅提高。具有最佳掺杂浓度的器件实现了17.82%的最高效率。值得注意的是，未封装的器件在环境空气中储存1000小时后，仍保留了初始效率的90%以上。
缺陷性质的影响，尤其是本征点缺陷的影响。半导体的掺杂极限、载流子寿命、载流子迁移率和复合速率都受到缺陷的重要影响。钙钛矿中的缺陷能级是在价带或导带内形成的，而非在带隙中形成，因此不会导致非辐射复合。初步
原理，其总输出电压Vsum等于宽带隙(VWBG)与窄带隙(VNBG)子电池电压之和。c部分通过示意图说明离子掺杂如何调控钙钛矿材料的带隙(Eg)与能级结构，其中CB表示导带，CBM为导带最小值，VB代表
(NBG)子电池效率的策略。图a展示了叠层结构中宽带隙(WBG)与窄带隙(NBG)钙钛矿子电池的统计性能参数。b部分为钙钛矿太阳能电池p-i-n架构示意图。c部分呈现器件中的非辐射复合路径：带正负号的
转换效率可超过100%。例如，在掺杂稀土离子的发光材料中，可以通过能级级联或双离子协同跃迁实现量子裁剪。图1(a、b)展示了Bi³⁺–Eu³⁺共掺杂YVO₄下转换材料在可见光和紫外光激发下产生的发光(在
(a,b)为Bi³⁺–Eu³⁺共掺杂YVO₄材料在可见光(a)与紫外光(b)照射下的发光现象，展示了一个紫外光子“切割”成两个可见光子;(c)示意了将透射型量子裁剪层沉积于晶硅太阳电池正面，以实现紫外
De
Wolf格雷策尔迄今已在Nature、Science等期刊发表论文111多篇，总引用3.67万多次，单篇最高引用超过3070次，h指数96(谷歌学术)。(2019年AEL)通过锆掺杂的氧化
的电子提取并将C60从钙钛矿表面排斥，以减缓非辐射复合。这些效应使得单片式钙钛矿-硅串联太阳能电池在大约1平方厘米的面积上实现了1.92伏特的最佳开路电压、80.7%的填充因子和经独立认证的稳定的
辅助的非辐射复合。对于n-i-p常规结构器件，C8A还促进Spiro-OmetaD的空穴传输层p型掺杂，提升空穴提取与传输效率。基于两步法沉积工艺的C8A修饰常规器件实现了26.01%的功率转换效率
策略示意图。多组分化学物种的同步固定化研究。a)
常规(n-i-p)结构器件在85°C、1太阳光强下老化10天后，未掺杂与C8A掺杂样品的飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)深度分布对比。b
杨氏模量的二维钙钛矿作为润滑剂以释放应力，这通过原位TEM
表征得到证实。其次，将掺杂三氯蔗糖的导电PEDOT：PSS用作透明电极，以增强器件的机械柔韧性和光伏性能。第三，采用超薄PET衬底将中性面
、成本低以及迄今26%的高功率转换效率(PCE)而成为下一代光伏技术。此外，钙钛矿薄膜的低温处理工艺和较薄的厚度使得制造柔性轻质器件成为可能，这些器件能够在非平面和移动结构上收集太阳能，并可作为建筑一体化
实现大面积、高均匀性和高重复性的无掺杂有机空穴传输层(HTL)沉积，是推动全印刷n-i-p钙钛矿太阳能电池组件商业化的关键。然而，传统聚合物空穴传输材料(HTM)在印刷过程中表现出非牛顿流体特性，其
粘度随剪切速率变化;而刀片涂覆的小分子HTL则因分子聚集和低粘度问题，易出现不利的组装行为和溶质随机分布。鉴于此。四川大学李鸿祥和苏州大学李耀文等人设计了一种高迁移率无掺杂小分子BDT-MB，并通过与
