缺陷率
提升了薄膜均匀性，并降低了缺陷密度。将该材料与领挚科技薄膜晶体管(TFT)背板集成，并搭配配套读取系统，成功构建了一个感-存-算一体化、高分辨率(32×32)的实时神经形态成像阵列芯片，这也是钙钛矿光电
/adma.202502015中国科学院大学孟祥悦、吴玮桐和苏州大学李亮团队成功开发基于新型无铅锡基钙钛矿的高分辨率神经形态成像传感器技术。该工作通过引入Sn→B供体-受体键相互作用，有效抑制了锡离子的氧化，显著
650W，效率达到24.1%。在技术工艺上，它采用缺陷消除技术+先进绝缘封边+高密度封装等创新工艺实现功率跃升。同时组件布局更加紧凑，有效提升空间利用率，为光伏系统的高效运行提供有
GH365M10T-B44HST-C组件，拥有35%黄金比例的透光率。该系列透光组件全部支持定制化服务，透光率可在3% -
48%范围内自由选择，能够高度满足阳光房、农光互补等不同场景的个性化需求，为光伏与建筑、农业等
表征：紫外-可见吸收(UV-Vis)、光致发光(PL)、时间分辨PL(TRPL)，研究光吸收、带隙、缺陷态、载流子寿命和复合动力学电学表征：空间电荷限制电流(SCLC)测陷阱密度和迁移率，电化学阻抗谱
中，以抑制这些副反应链，并有效减轻阳离子和碘离子(I⁻)的有害降解。Th的协同效应使其能够与未配位的Pb²⁺结合，调节结晶过程，从而实现低缺陷密度的高质量薄膜。因此，基于Th的前驱体展现出更长的存储
寿命，在老化30天后，基于新鲜溶液制备的器件初始效率(25.13%)保持率为94.78%，而对照样本仅为64.22%。目标器件还表现出显著的稳定性，在最大功率点跟踪1000小时后仍保持其初始效率的
隙半导体，其电子态扩展性差，难以与有机分子Tc的波函数充分重叠。 界面缺陷导致猝灭：硅表面存在大量悬挂键和缺陷，会捕获激子并引发非辐射复合。 能量损失：若Dexter转移效率低，激子可能在界面处以
的缺陷，防止转移过来的电荷载流子在这些缺陷处快速复合而损失。隧穿：
超薄厚度允许电荷量子隧穿通过，实现ZnPc与硅之间的电荷转移。顺序电荷转移机制(核心突破)：第一步(电子转移)：
位于
能级结构。PO 通过氢键作用与 Pb-I
框架相互作用，且吡啶环与肟基(-NOH)之间的配位作用提供了较高的电子亲和力，从而提高了钙钛矿的电离能。肟基与吡啶环中的氮还可作为界面缺陷钝化单元
、碘原子的吸附能;e) 2-PO、3-PO和4-PO分子与含碘空位缺陷的钙钛矿结合模型;f)
含碘空位缺陷的钙钛矿及其分别与2-PO、3-PO和4-PO相互作用后的态密度(DOS)图。图2. PO
)。其中，大面积、少缺陷、且膜厚均匀的钙钛矿薄膜制备，是保证良率、增大面积、简化生产控制流程，从而跨越上述挑战的重中之重。3. 流变学效应既然大尺寸器件效率低、制备难，那就去解决即可。说起来容易
大于其他类型的电池，如图 2 所示。钙钛矿大面积电池，其效率损失严重之源在哪里呢?目前学界认知主要立足两点：(1)
钙钛矿薄膜的大面积制备工艺不成熟、难度较大。面积越大的薄膜，膜内缺陷越多、均匀性越
500
nm的柔性器件，透光率可达20%-55%，支持曲面安装，适用于光伏建筑一体化(BIPV)、车载光伏(CIPV)及可穿戴设备。例如，纤纳光电的钙钛矿组件已应用于沙漠光伏电站，而丰田计划在2030
、华东理工研究的核心突破：从“软晶格”到“刚性铠甲”1. 光机械诱导分解效应的发现传统研究多聚焦于水氧、热、电等外部因素对钙钛矿稳定性的影响，而侯宇团队首次提出钙钛矿内部动态局域应力是导致晶界缺陷的关键
钙钛矿表面均匀钝化，抑制缺陷形成能量和离子扩散。提取的太阳能组件的降解活化能为0.61电子伏特，与大多数报道的稳定电池相当，这表明组件的稳定性并不比小面积电池差，并且缩小了电池与组件之间的稳定性差距
，这对电池的长期户外运行稳定性构成了重大挑战。基于此，南京航空航天大学赵晓明、郭万林院士团队通过气相沉积多齿配体隔离钙钛矿表面的缺陷八面体来解决这个问题。表面八面体隔离抑制了离子迁移到电荷传输层，减少
显著优势●提升薄膜质量与器件稳定性傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析表明，与真空闪蒸法相比，LAD处理的钙钛矿薄膜中残留溶剂(如DMF和DMSO)含量显著降低，薄膜缺陷密度更低。在紫外光老化测试中，经
运行，该批钙钛矿组件的功率衰减率低于2%，初步估算的T90寿命(功率衰减至初始值90%的时间)可达9年。研究展望与意义研究使用3D打印技术制造关键工艺部件，成功解决了钙钛矿太阳能电池大规模生产中的核心技术
