空穴

半导体材料的光生伏特效应。当太阳光子穿透光伏板表面的防反射涂层(通常为氮化硅或二氧化钛)，能量超过硅材料禁带宽度的光子(波长小于1.1μm)会激发电子-空穴对。这些载流子在内建电场作用下分离，形成

氧化问题，严重制约了器件的耐久性与性能。研究内容本研究提出采用2-溴乙胺氢溴酸盐(2-BH)在窄禁带钙钛矿/空穴传输层(PEDOT:PSS)界面实施双边锚定策略。2-BH的引入与PEDOT:PSS和
ITO(125 μm厚，方阻15 Ω/sq)的PEN衬底进行O₂等离子体处理(8分钟)。空穴传输层(HTL)沉积：旋涂PEDOT:PSS(5000 rpm，30秒)，100℃退火20分钟。目标器件特殊

平面共轭策略(coplanar-conjugation of donor-acceptor strategy)设计了双自由基SAMs，以促进空穴在SAMs上的传输。得益于分子位阻设计
稳定性，同时提升空穴传输效率与溶液加工性。高精度表征技术开发SECCM-TLCV联用技术，首次实现SAMs载流子传输速率、组装密度及电化学稳定性的原位精准测量，揭示双自由基SAMs的抗降解机制。全维度

的影响，首先得了解光伏发电的工作原理。光伏发电基于半导体材料的光伏效应。当太阳光照射硅基太阳能电池时，光子激发半导体中的电子，在 PN 结内建电场作用下，电子与空穴分离并定向移动，N 型区积累电子、P
型区积累空穴，形成电势差。通过电极连接外电路，电子定向流动产生直流电，再经逆变器转换为交流电供使用，实现光能到电能的转化。是一种相对较为 “纯净” 的能量转化方式。光伏辐射类型及分析电磁辐射

，并确保空穴转移到电子供体PBDB-T-2F(PM6)。由于这种设计，有机电池能够实现17.9% 的功率转换效率和28.60 mA/cm2 的高短路电流密度。研究团队利用超快光谱和器件物理学分析发现

一、引言：传统理论的突破者——激子倍增光伏技术作为可再生能源的核心方向，其能量转换效率始终是研究重点。在早期科学家的认知中，一个光子通常只能激发单个电子-空穴对(激子)，对应单结硅基太阳电池的理论
相互作用。以无机量子点为例(图1a)。高能光子光照无机量子点后产生一个高能电子和一个空穴(过程Ⅰ)，由于量子点内俄歇复合的抑制和库仑相互作用的增强，高能电子不再以辐射声子的形式冷却，而是在激发第二个

同时，将光学带隙降低到1.27 eV。瞬态吸收光谱证实了从P2 EH-1V到施主PM 6的有效空穴转移。基于P2 EH-1V的器件显示出0.20 eV的降低的非辐射电压损耗，而不影响电荷产生

处理后重新取向的示意图。图 3. a) 器件结构示意图：对照组薄膜、含 Al₂O₃纳米颗粒的空穴传输层(ST-Al₂O₃)，以及结合 Al₂O₃纳米颗粒和 PEABr 的空穴传输层(ST-Al₂O
/SP-NP-NiO 10(NP-NiOₓ浓度 = 10 mg・mL⁻¹)的原子力显微镜(AFM)图像。b) 含或不含 NP-NiO 的空穴传输层(HTLs)制备工艺示意图。c) 修饰 NiOₓ上的

&Bo He研究背景钙钛矿太阳能电池(PSCs)的功率转换效率(PCE)已突破26.5%，逐步逼近最先进的晶体硅太阳能电池水平。在反式钙钛矿电池性能提升过程中，有机空穴选择性自组装分子(SAMs)发挥
了关键作用。要实现钙钛矿光伏技术的进一步发展，SAMs需兼具增强的空穴传输性能、优异稳定性及大面积溶液加工性，但同步满足这些特性的分子设计仍存在重大挑战。导电性与均匀性不可兼得?1、提高导电性与稳定性