项目产品应满足以下要求:
1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1 级品的要求;
2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于 2s,电阻率在 1-3。cm,碳、氧含量分别小于
16 和 18PPMA;单晶硅3片少子寿命大于 10s,电阻率在 1-3。cm,碳、氧含量分别小于 10 和 18PPMA;
3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于 16%和 17
: 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》 (GB/T25074)1 级品
的要求;
2.多晶硅片 (含准单晶硅片) 少子寿命大于2s,电阻
率在 1-3.cm,碳、氧含量分别小于 16 和
18PPMA;单晶硅
2
片少子寿命大于 10s,电阻率在 1-3.cm,碳、氧含量分 别小于 10 和 18PPMA;
3.多晶硅电池和
:1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1 级品的要求;2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于16 和18PPMA;单晶硅片少子寿命
大于10s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于10 和18PPMA;3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%;4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5
多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于 2s,电阻
率在 1-3.cm,碳、氧含量分别小于 16 和 18PPMA;单晶硅3
片少子寿命大于 10s,电阻率在 1-3.cm,碳、氧含量分
别小于 10
》(GB/T12963)2 级品以上要求;
2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于 2.5s,电
阻率在 1-3.cm,碳、氧含量分别小于 8 和 6PPMA;单晶硅
片少子寿命大于 11s
关键生产环节控制,通过优化管理减少人力和原、辅材料的消耗;积极采用新材料、新工艺,合理降低采购成本;严格贯彻执行7S、ISO9001质量管理体系及内控管理制度等要求;进一步加大设备改造力度,加快淘汰落后
同期有所下降。
2013年上半年,公司研发工作进展明显,新增专利及专利申请权13项,技术创新项目新增立项112项,研发结题107项。在降低氧/碳含量、提高少子寿命、金刚线切割工艺研究等研发课题
多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于16和18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于10和18PPMA;3.
)少子寿命大于2.5s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;单晶硅片少子寿命大于11s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换
要求;2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于16和18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于10和18PPMA
单晶硅片)少子寿命大于2.5s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;单晶硅片少子寿命大于11s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;3.多晶硅电池和单晶硅电池的
要求;2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于16和18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于10和18PPMA
单晶硅片)少子寿命大于2.5s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;单晶硅片少子寿命大于11s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;3.多晶硅电池和单晶硅电池的
光伏制造企业及项目产品应满足以下要求:
1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1级品的要求;
2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s,电阻率在1-3。cm,碳、氧含量分别
小于16和18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10s,电阻率在1-3。cm,碳、氧含量分别小于10和18PPMA;
3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%;
4.
1-3.cm,碳、氧含量分别小于16和18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于10和18PPMA;
3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17
大于2.5s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;单晶硅片少子寿命大于11s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;
3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别