碳化硅器件

本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T6495.2光伏器件第2部分:标准太阳电池的要求GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法GB7484水质氟化物的测定离子选择电极法GB11893水质总磷的测定
能直接转换成电能的一种器件。3.2单晶硅太阳电池以单晶硅为基体材料的太阳电池。3.3多晶硅太阳电池以多晶硅为基体材料的太阳电池。3.4铸锭工序按照硅锭性能要求将硅料装进坩埚内，通过铸锭炉将硅料进行熔化

摘要：随着电力电子变换系统对于效率和体积提出更高的要求，SiC（碳化硅）将会是越来越合适的半导体器件。尤其针对光伏逆变器和UPS应用，SiC器件是实现其高功率密度的一种非常有效的手段。本文主要介绍

，以及国产品牌的崛起。不过国内逆变器厂家对新技术和新器件的应用还是太少，日本的TMEIC就已以推出以碳化硅为功率器件的逆变器，并且开始大批量应用，碳化硅内阻很少，可以把效率做很高，开关频率可以达到10K

的应用还是太少，日本的TMEIC就已以推出以碳化硅为功率器件的逆变器，并且开始大批量应用，碳化硅内阻很少，可以把效率做很高，开关频率可以达到10K，也可以节省LC滤波器和母线电容。 光伏逆变器

和软毡），以及工作时需要消耗的温度传感器件。 此外，在多晶硅铸锭和单晶硅拉制时，还需要用到保护气体和反应气体。 2.2硅片后辅料 在硅片切割过程中，要用到切割线（包括钢线、钼线
、金刚砂线）、切削液、金刚砂微粉（或称碳化硅微粉；在硅片切割后清洗时，要用到各类的碱、酸和纯净水。 硅片切割后，进入电池片生产阶段，此时除了前期对于硅片的清洗制绒外需要各类酸碱和纯水辅料外，扩散还需要

（分为硬毡和软毡），以及工作时需要消耗的温度传感器件。此外，在多晶硅铸锭和单晶硅拉制时，还需要用到保护气体和反应气体。2.2硅片后辅料在硅片切割过程中，要用到切割线（包括钢线、钼线、金刚砂线）、切削液
、金刚砂微粉（或称碳化硅微粉；在硅片切割后清洗时，要用到各类的碱、酸和纯净水。硅片切割后，进入电池片生产阶段，此时除了前期对于硅片的清洗制绒外需要各类酸碱和纯水辅料外，扩散还需要用到三氯氧磷气体

碳化硅器件，在工信部支持下，最近碳化硅器件国产也有些突破。现在目前电压等级在1000伏以内。 产业的情况，目前依然是SMA是全球的逆变器的龙头老大，ABB收购了（英文），是目前的第二。阳光逆变器

99%，MPPT效率做到98%到99.9%，单机最大功率现在有2.5兆瓦，电路结构主要目前是以两电平为主少量为三电平，冷却方式风棱为主，少量为自冷，液冷，功率器件以IGBT为主，少量的碳化硅器件，在

前是以两电平为主少量为三电平，冷却方式风棱为主，少量为自冷，液冷，功率器件以IGBT为主，（英文）为辅，少量的碳化硅器件，在工信部支持下，最近碳化硅器件国产也有些突破。现在目前电压等级在1000伏以内