碳化硅器件

海外研发中心，联合早先成立的国内研发中心，组建了由丁荣军院士领衔的上百名全球性研发团队，专注新一代IGBT芯片技术、新一代高功率密度IGBT模块技术和下一代碳化硅功率器件技术等技术的开发与应用，依靠国家
装置的关键部件，也是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，广泛应用于轨道交通、新能源装备、船舶驱动、航空航天等国计民生的重要领域，被业界誉为绿色经济的核芯。在轨道交通领域，IGBT被称作牵引变流器

是集成电路制造设备产品销售规模下降。集成电路制造设备产品实现销售收入20718.25万元，较上年同期下降44.49%。在公司继续缩减民品规模的情况下，电子元器件产品实现销售收入17220.97万元，同比
下降6.46%（其中，军工电子元器件产品实现销售收入12539.54万元，同比上升3.44%）。 2013年上半年，公司承担的国家重大专项"65nm超精细清洗设备研制与产业化"项目现已完成内部验收

。这些强大的优势包括：更低的均化电力成本，提升通过租赁和电力购买协议而销售的电能利润，此外，这些器件还能改善性能和可靠性。 采用宽禁带半导体即碳化硅和氮化镓，是太阳能逆变器的制胜之道，Lux
根据研究机构Lux Research报告显示，受太阳能模组的下游需求驱动，宽禁带半导体即碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）将引领太阳能逆变器隔离器市场在2020年达到14亿美元，意味着其稳定的复合

微型逆变器和小型串式逆变器。这些强大的优势包括：更低的均化电力成本，提升通过租赁和电力购买协议而销售的电能利润，此外，这些器件还能改善性能和可靠性。采用宽禁带半导体即碳化硅和氮化镓，是太阳能逆变器的制胜之道
索比光伏网讯:根据研究机构Lux Research报告显示，受太阳能模组的下游需求驱动，宽禁带半导体即碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)将引领太阳能逆变器隔离器市场在2020年达到14亿美元

自去年7月以来，三菱电机发布了一系列碳化硅（SiC）功率模块，这些产品将于今年6月18日至20日在上海世博展览馆举行的PCIM亚洲展 2013（展位号：402）中隆重亮相
Si的2倍。 与传统的Si功率器件相比，SiC功率器件具有关断拖尾电流极小、开关速度快、损耗低、耐高温的特性。采用SiC功率器件开发电力电子变流器，能提高功率密度，缩小装置体积

宽禁带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用(前沿技术类，国拨经费控制额800万元，企业牵头)研制碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)电力电子芯片和器件，研究SiC和GaN器件在不同功率等级、电压范围

生产线。 2. 基于宽禁带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用（前沿技术类，国拨经费控制额800万元，企业牵头）研制碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）电力电子芯片和器件，研究SiC和GaN器件在不同功率等级

索比光伏网讯:1 引言砂浆在线回收工艺，是将废砂浆经在线回收设备处理，将可重复使用的碳化硅颗粒和切割液回收再利用，操作方便，节约了废砂浆储存空间，且有效降低了成本。在此过程中无需添加任何化学成分
，保证了砂浆的原有性质。但由于回收的碳化硅、切割液的质量和比例直接影响硅片切割质量，本文主要论述在线回收砂浆对切割质量的影响及调整措施。2 在线回收砂浆切割质量分析2.1 不同回收比例的砂浆切割质量

索比光伏网讯:从简单的二极管起步实现实用化 碳化硅功率元器件的开发在分为二极管和晶体管2个阶段进行。二极管的结构较为简单，易于制造。首先公布产品的是德国英飞凌科技公司
）。 表1　从事碳化硅功率元件或功率元件碳化硅基板业务的主要企业 另一方面，晶体管仍

，在短短的五六年间，实现了由百吨级向千吨级、万吨级产业化规模技术的跨越发展。2011年我国多晶硅的年产能增长到14万吨，年产量达到了8万吨。在新光源革命带来的巨大市场需求的推动下，近年LED器件在我国
得到高速发展，它也带动了我国化合物半导体、蓝宝石等材料发展，开始大量迈入到半导体器件应用领域。我国半导体前工程加工辅助材料也有着不同程度的变化发展，包括靶材、光刻胶、超净高纯化学试剂、特气、IC光掩膜