碲化镉薄

地位。 由于薄膜太阳能电池的厚度只有数个微米，比一般纸张还要薄，所以原材料的消耗比晶体硅要少得多。它镀膜时的温度只有200摄氏度～300摄氏度，生产时所消耗的电能回收期较短。薄膜太阳能电池对弱光
低 非晶硅/微晶硅薄膜太阳能电池转换效率虽然稍低，但因前景被看好，有很多企业购买应用材料、Oerlikon等公司的生产设备，它属于容易普及化的产品。碲化镉薄膜太阳能电池由于受到专利保护，仅限于

(砷化镓GaAs、碲化镉CdTe、硒铟铜 CuInSe、铜铟镓硒CIGS等)两个细分类型，在薄膜电池中各占据半壁江山；薄膜电池是利用非常薄的感光材料制成，附着或涂层于廉价的玻璃、不锈钢或塑料衬底上，技术造价
比晶体硅低，目前非晶体硅(a-Si)电池、铜铟镓硒 CIGS电池和碲化镉CdTe电池已商业化，涂层仅有几微米；尽管薄膜涂层电池在光电转换效率上仍无明显优势，但成本较低和适应范围广泛的特征与晶体硅可谓

2849mm*394mm、重量4kg；PVL-124模组则为124W、效率6.3%、大小为5006mm*394mm、重量7kg，平均而言重量上约为硅晶圆模组的一半，为可挠式厚度极薄，以应用在BIPV为主
基板尺吋为1.0mX1.4m。 二、碲化镉太阳能电池领导厂商发展概况 不同于其它薄膜技术竞争者众的局面，CdTe薄膜太阳能电池的供给为单一厂商美国FirstSolar独大，原先对于镉毒性的忧虑限制了

*394mm、重量4kg；PVL-124模组则为124W、效率6.3%、大小为5006mm*394mm、重量7kg，平均而言重量上约为硅晶圆模组的一半，为可挠式厚度极薄，以应用在BIPV为主。(二
1.0mX1.4m。二、碲化镉太阳能电池领导厂商发展概况不同于其它薄膜技术竞争者众的局面，CdTe薄膜太阳能电池的供给为单一厂商美国First Solar独大，原先对于镉毒性的忧虑限制了CdTe技术投入者的意愿

三种：非晶硅(a-Si)、铜铟硒(CIS，CIGS)和碲化镉(CdTe)。欧洲能源协会预测，到2010年薄膜太阳能电池将占据光伏市场20%份额。 把单片硅基太阳能电池互联，封装到一块玻璃上可以得到
/硅棒与硅片制造是光伏产业链第二个环节，也是技术与生产效率改进空间最大的环节。硅片切割工艺是决定硅基太阳能电池转换效率的最重要技术环节。通常，硅片越薄，由其制成的电池转换效率越高，产品的市场价格越高

2008年4月，在杭州下沙经济技术开发区，一栋不起眼的小楼里，龙焱能源科技(杭州)有限公司正式成立了。这家总投资2400万美元的公司做的东西很先进：碲化镉能薄膜电池及组件。虽然他们的产品还处在实验室
CIS/CIGS、碲化镉CdTe)，与新概念的染料敏化类。 　　虽然目前薄膜太阳能电池的市占率不到一成，其转换效率、量产良率、设备成本等问题也待克服，然而薄膜太阳能电池具节省材料、可在价格低廉的玻璃、塑料

。薄膜太阳能技术通过在玻璃基板上淀积一层薄无定形硅（a-Si）取代以往的c-Si体硅基板太阳能技术，从而大为降低多晶硅的使用量。（图1） 另一类薄膜太阳能技术则依靠碲化镉（CdTe

到世界光伏市场份额的10%左右，伴随着多晶硅价格的走高，薄膜太阳能电池的发展有望进一步加速。当然薄膜电池也存在自身的不足，如硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低
多晶硅制造的环节，且薄硅化已成为行业发展的主要趋势，但相对于多晶硅制造来说，硅片切割在能源环境等方面的要求相对小的多，主要还是因考虑技术环节。　　在下游电池制造环节，由于技术上已较为成熟，我们认为应多

转变为电力，包括传统的多晶硅基太阳能电池技术和新的薄膜技术。薄膜制造涉及将极薄的光敏材料层沉积在玻璃、金属或塑料上。而现在大多数使用的常用材料为无定形硅，最新的技术使用非硅基材料，如碲化镉
公司，2006年为第4大光伏制造商，2007年晋升至第3位。 　　鉴于投资多晶硅存在供应问题，美国First Solar公司于2006年通过生产60MW碲化镉薄膜光伏，使其产量比2005年翻了二倍，从而进入全球

】 太阳能光伏 光伏板组件是一种暴露在阳光下便会产生直流电的发电装置，由几乎全部以半导体物料(例如硅)制成的薄身固体光伏电池组成。由于没有活动的部分，故可以长时间操作而不会导致任何损耗。简单的
）太阳电池、铜铟（镓）硒（CuInGaSe2）太阳电池和碲化镉(CdTe)太阳电池。经过数年的努力，其效率达到15～20%（ AM0）。　　另一方面，为展开柔性薄膜太阳电池的研制（展开式、折叠式、套桶式、卷廉