碲化镉薄

新热点。目前已经能进行产业化大规模生产的薄膜电池主要有3种：硅基薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池(CIGS)、碲化镉薄膜太阳能电池(CdTe)。其中，硅基薄膜电池以其特有的优势快速发展。2010
降到2.08 美元/w;预计薄膜电池的平均价格能够从现在的2.65 美元/w 降至1.11 美元/w，与晶体硅相比优势明显;而相关薄 膜电池制造商的预测更加乐观，EPV 估计到2011 年，薄膜组件的成本将

近两年吸引了投资者更多的关注，处于其急速发展期。目前已经实现商业化的太阳能电池技术有晶体硅电池、非晶硅太阳能电池、碲化镉薄膜太阳能电池，聚光太阳能电池。CIGS薄膜太阳能电池也有可能在将来实现产业化。其中
之一。而新型的薄膜太阳能电池技术将这种单位电量的价格优势继续扩大。在过去的几年中，为了降低晶体硅太阳能电池的成本，用来制作电池片的硅片的厚度已经从原来的300um减薄到了180um，孙海燕博士认为

、碲化镉和铜铟镓硒（CIGS）。美国第一太阳能公司正是碲化镉薄膜电池的最大制造商，其转化率已达到12%。但因为镉污染的问题，铜铟镓硒则更被业内所看好，台积电等公司也正在这一领域规模投资。收购Solibro后
理解非常快。汉能研究了3年，才选择了薄膜路线。薄膜生产过程中低能耗，无污染，能做成半透明和柔性电池，易与建筑一体化结合，因此特别适合拓展分布式、自给式应用。现在整个世界的技术有一个趋势，就是变得更轻更薄

LPCVD在衬底上沉炽一层较薄的非晶硅层，再将这层非晶硅层退火，得到较大的晶粒，然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜，因此，再结晶技术无疑是很重要的一个环节，目前采用的技术主要有固相结晶法和中区熔再结晶
材科组台在一起，提高了光谱的响应范围;②顶电池的i层较薄，光照产生的电场强度变化不大，保证i层中的光生载流子抽出;③底电池产生的载流子约为单电池的一半，光致衰退效应减小;④叠层太阳能电池各子电池是串联

在加热的衬底上，衬底材料一般选用Si、SiO2、Si3N4等。但研究发现，在非硅衬底上很难形成较大的晶粒，并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是先用 LPCVD在衬底上沉炽一层较薄的非晶硅层，再将这
单结太阳能电池上再沉积一个或多个P-i-n子电池制得的。叠层太阳能电池提高转换效率、解决单结电池不稳定性的关键问题在于：①它把不同禁带宽度的材科组台在一起，提高了光谱的响应范围；②顶电池的i层较薄

制造成本，并可广泛应用于其他众多太阳能电池材料，如碲化镉和铜铟镓硒(CIGS)等。 　　论文的联合作者、该校材料科学和工程系的助理教授曹林佑(音译)说，他们能够借助纳米夹层技术制成具有超薄活性层的
，其测量值介于200纳米至300纳米之间。随后，研究人员将为基片和纳米结构涂覆一层极薄的非晶硅活性材料，并会在活性层的外层再涂上另外一层介质材料。曹林佑表示，这项技术的一个重要方面就是纳米夹层的设计

应用到许多其他太阳能电池材料中，例如碲化镉，铜铟镓硒和有机材料。Cao博士补充到。新技术很大程度上依赖于传统的制造工艺，但是生产出来的是完全不同的产品。第一步是使用标准的印刷技术在基板上印上一种图案，该
太阳能集中到活性层当中。这意味着我们可以使用更薄的活性层而不需要牺牲他的性能。在传统的薄膜电池设计中，使用更薄的活性层会损害太阳能电池的效率。论文Dielectric Core-shell

广泛应用于其他众多太阳能电池材料，如碲化镉和铜铟镓硒（CIGS）等。论文的联合作者、该校材料科学和工程系的助理教授曹林佑（音译）说，他们能够借助纳米夹层技术制成具有超薄活性层的太阳能电池，例如，其可以在
300纳米之间。随后，研究人员将为基片和纳米结构涂覆一层极薄的非晶硅活性材料，并会在活性层的外层再涂上另外一层介质材料。曹林佑表示，这项技术的一个重要方面就是纳米夹层的设计，可使活性材料位于两个介质层

实际生产中均取得了优势储存电子的导体金属线不是用传统的丝网印刷法制造，而是使用了独有技术使集电体沉积得更薄，更窄的间隔可以使吸引电子变得更加容易。这个技术变革使得尚德公司在2011年就取得了原定
研制出了一种低成本的薄膜太阳能电池技术，但是该技术使用的材料是碲化镉，电池的转化效率较单晶硅太阳能电池要低。另外一些公司试图使用更高效率的铜铟硒薄膜来与硅基太阳能电池进行竞争，但是在无法有效降低

%，然而其制备过程中需要对主要半导体工艺参数精确控制及原材料不足严重制约着其生产和发展。碲化镉薄膜太阳能电池在可见光段有很高的吸收系数，太阳能电池转换效率可以达到10%以上，然而镉是有毒元素，在生产和
，最后用去离子水清洗干净，表面皿中烘干。用DM-450A型真空镀膜机在玻璃衬底表面蒸镀一层非晶硅薄膜，并在非晶硅薄膜表面蒸镀1层相对较薄的铝膜，通过调节不同的工艺参数制备出若干样品。将样品放入箱式电阻炉