硅片切片设备

，我们不认为其他的切片技术，特别是直接法硅片技术(kerfless technologies)，将获得显著的市场份额。 图4 单晶硅片制造技术的市场份额 生产更薄的晶片，减少切割损耗，提高回收率

单晶硅片大尺寸改进成为发展趋势，随之带来的是，未来大热场将成为主流，小炉型或落后炉台可能面临淘汰。单晶硅片对装备的需求首先是要提升设备的高纯防护水平，包含特殊防护材料的应用、免接触工装的设计等，此外，需要

单晶硅片大尺寸改进成为发展趋势，随之带来的是，未来大热场将成为主流，小炉型或落后炉台可能面临淘汰。单晶硅片对装备的需求首先是要提升设备的高纯防护水平，包含特殊防护材料的应用、免接触工装的设计等，此外

CPIA统计单晶PERC组件的成本下降至1.45元/W左右，其中组件非硅成本占比46.9%。未来硅片和电池片环节成本下降空间有限，降低封装成本的性价比变高。 叠瓦技术将电池片切片用导电胶互联，省去焊
。除此之外，国内一些其他企业也自主研发了叠瓦技术，包括隆基、阿特斯、通威等等。 在降本路径方面，硅料环节通过连续加料等长晶技术的升级提高长晶速率和纯度;硅片环节通过金刚线切片减少原材料用量，提高切片效率

，随之带来的是，未来大热场将成为主流，小炉型或落后炉台可能面临淘汰。单晶硅片对装备的需求首先是要提升设备的高纯防护水平，包含特殊防护材料的应用、免接触工装的设计等，此外，需要继续对现有设备进行自动化

，截至报告期末，公司已收到优创创业支付的第一期交易价款(3亿元),并已完成了相关工商变更登记手续。 由于优创光能已经出售，而部分硅片生产设备(铸锭炉、切片机等)系公司采购后出租给优创光能使用，报告期

几乎没有增加。 半片：将标准电池片对切后串联起来，焊带功率损失减少，热斑几率降低，可提升输出功率5-10W。制造环节需要增加电池切片设备，且切半片后串焊机需求增加一倍。 多主栅(MBB)：采用更多更细的
纯度;硅片环节通过金刚线切片减少原材料用量，提高切片效率;电池片环节通过镀膜、掺杂等方式提高光电转化效率，组件环节在既有的电池片转化效率前提下，尽量提升组件的输出功率或者增加组件全生命周期内的单瓦发电量

一下，未来可能最终实现发电侧上网。从硅片来看，这边有一个(英文)，他的一个预测，其实反映两个，第一个砂浆切片(音)未来没有了，包括成本，包括他的产出率，还有薄片化将是未来硅片技术与设备升级的主攻方向

异质结技术而言，设备初始投资较高，硅片、银浆、靶材等关键辅材成本较高，产线工艺控制和电池良率还有待提升;对于叠瓦技术而言，叠瓦专用设备初始投资及使用导电胶使得组件制造成本偏高，叠瓦工艺设备的自动化水平需

。 我们再看来单晶硅片方面，除了在拉晶、切片等环节取得很多技术突破(如多次拉晶技术、金刚线切割技术等)之外，另一个值得关注的现象就是单晶硅片的尺寸存在着变大的趋势。 在2010年之前，单晶硅片主要