砷化镓
Pearson 等人在 1954 年制出了 第一个无机单晶太阳能电池，其光电转化效率达到了 6%。现代硅太阳电池时代从此开 始。
同年，韦克尔首次发现砷化镓具有光伏效应，并在玻璃上沉积硫化镉薄膜制成了第
太阳能电池 生产系统、分散型和大型光伏发电系统以及太阳能热发电等。
在 1980 年，单晶硅太阳能 电池效率达到 20%、砷化镓电池达 22.5%、多晶硅电池达 14.5%，而硫化镉电池效率则 达
微电子产业; 第二代半导体材料 包括砷化镓以及磷化铟，主要应用在射频通讯产业以及光电产业; 第三代半导体 以碳化硅以及氮化镓为代表，可应用在更高阶的高压高频的功率元件领域。 碳化硅(SiC)的
可再生能源实验室(NREL)认证Oxford Photovoltaics钙钛矿太阳能转换效率达到29.52%，打破了其18个月前创下的27.3%的纪录，还打破了砷化镓太阳能电池29.2%的转换纪录
太阳能电池效率世界记录保持者，没有任何补偿或通知，就解雇了其在美国加州的几乎所有员工。 悲伤的传奇 2013年，汉能以未披露的金额收购了砷化镓光伏开发商Alta Devices。此后，Alta
、热导率等方面，和硅及砷化镓等第一、二代半导体材料相比具有显著的优势。碳化硅功率器件，为实现光伏逆变器的高转换效率和低能耗提供了所需的低反向恢复和快速开关特性，对提升光伏逆变器功率密度、进一步降低
)、砷化镓(GaAs)、钙钛矿电池及有机薄膜电池等。 相较于晶硅太阳能电池，薄膜太阳能电池材料消耗少、制备能耗低、生命周期结束后可回收、电池和组件生产在一个车间内完成，由于可在柔性衬底上制备，具有可卷曲
卫星、高空飞行的无人机、以及一些更远程航天器，在远离任何其他能源的地方，通常依靠太阳能电池板提供电力。 目前，航天器工程师们通常选择砷化镓或III-V电池技术。太空旅行等利基应用是为数不多的能够
MiaSole员工提供回酬，这对员工来说是一个很好的结果，但并不是大流行救助计划的目的。 2013年，中国的汉能(Hanergy)收购了砷化镓太阳能开发商Alta Devices和CIGS薄膜太阳能
加拿大的科学家发现了一项具有前景的砷化镓太阳能电池生产技术。让电池直接生长在硅衬底上是一项有前途的策略，能够削减某些技术过高的生产成本。通过使用多孔硅，科学家能够朝着以更低成本生产高性能III-V
太阳能电池的目标迈进一大步。
砷化镓(GaAs)和其他III-V材料(按照它们在元素周期表中的分组命名)是广为人知的高性能太阳能电池材料，它们在转换效率综合记录中占据大多数席位。
但它们通常高达数百
MAPb0.5+xSn0.5xI3光伏阵列的PCE约为10.3%，工作面积约为9 cm2。 单晶钙钛矿薄膜光伏器件测试。图片来源：Nature 现代电子产品，如手机、电脑甚至卫星，都是基于硅、氮化镓和砷化镓等
