直拉
王者。
多晶硅产量首现下滑
硅材料是半导体工业中最重要且应用最广泛的半导体材料，是微电子工业和光伏产业的基础材料。硅材料有多种晶体形式，包括单晶硅、多晶硅和非晶硅，应用于光伏领域的主要包括直拉单晶硅
、薄膜非晶硅、铸造多晶硅、带状多晶硅等硅材料。其中，直拉单晶硅和铸造多晶硅应用最为广泛，占太阳电池光伏材料90%以上的市场份额。
2018年，全球多晶硅产量受光伏市场影响，产量近20年来呈首次下滑
中，铸造其实是传统的多晶制作方法。
其实现在的单、多晶之争就是直拉技术和铸造技术的竞争，而铸造单晶则是巧妙地将铸造技术的低成本、低能耗、大尺寸优势和单晶的高效率、高质量优势结合到了一起。浙江大学杨德
发现这并不是一个全新的技术。据保利协鑫首席技术官万跃鹏博士介绍，早在2005-2008年，BP Solar铸造单晶(Mono2)示范电站应用，效率约17-18.0%，接近直拉单晶，但并没有规模化应用;到
的边部红区，提高硅锭整体质量。
2.3铸造单晶技术
铸造准单晶硅由于其生产成本低于直拉单晶，其太阳电池的转换效率高于传统铸造多晶硅，一直是光伏行业研究的热点。铸造单晶是在坩埚底部铺设特定晶向的籽晶
铸锭炉的单炉投料量可达1500kg～1600kg，单位产能可达16kg/h，其更高的性价比为多晶产品在光伏行业中占主导地位提供可靠保证;
d)铸锭单晶以其成本低于直拉单晶、电池效率高于普通多晶一直备受
的铸锭单晶产品。据悉，铸锭单晶结合了铸锭多晶和直拉单晶的优点，其利用籽晶通过铸锭的方法生长出单晶硅。此举被认为是把两种技术的优点进行了结合，既有低成本、低能耗，也有高质量、高效率。
之所以说竞价
无补贴时代的来临，是铸锭单晶推向市场的机遇。业界一种声音认为，铸锭单晶与P型直拉单晶转换效率仅相差0.3%且成本更低，这使得铸锭单晶能够具有更高的性价比。只是，此前很长一段时间内，铸锭单晶技术一直未能实现
电池产品增添了新的成员，铸锭单晶硅片在通威等一线电池大厂步入大批量应用和出货阶段。
据笔者了解，同种PERC电池工艺条件下，目前铸锭单晶电池的平均效率与直拉单晶比，差距已在0.3%以内。按单晶PERC
电池效率22.0%、铸锭单晶PERC电池效率21.7%、以及二者保持相同的CTM、取97%计算，60片156.75(M2)尺寸的直拉单晶PERC组件功率均值约为312.8瓦，60片158.75直拉单晶
了大面积工业级磷掺杂的直拉N型硅片衬底，集成超薄遂穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术，利用量子遂穿效应和表面钝化，实现面积为244.62平方厘米的电池正面光电转换效率达到24.58%。
可达22.13%，与单晶电池的效率差在0.3%以内，组件效率差距在5W以内，同时光衰仅为直拉单晶的50%，这导致一年后，采用鑫单晶G3硅片的铸锭单晶组件将与直拉单晶组件功率相同。
保利协鑫目前正在进行
相比单晶的竞争优势，但谈论打败单晶仍然为时过早。
今年SNEC展会的第一天，保利协鑫首席执行官朱战军在一个推介铸锭单晶的内部会议上，承诺保利协鑫的铸锭单晶产品鑫单晶G3，相比同期直拉单晶产品，保持一定
，推荐几个基于目前大规模生产中较为广泛应用的几种硅片尺寸，并对未来硅片尺寸给出预期指导。这里的晶体硅片包括CZ直拉法拉制的单晶硅片，铸锭法生长的多晶硅片和铸锭单晶硅片。 硅片尺寸确立的原则 首先，我们
可达22.13%，与单晶电池的效率差在0.3%以内，组件效率差距在5W以内，同时光衰仅为直拉单晶的50%，这导致一年后，采用鑫单晶G3硅片的铸锭单晶组件将与直拉单晶组件功率相同。
保利协鑫目前正在进行
相比单晶的竞争优势，但谈论打败单晶仍然为时过早。
今年SNEC展会的第一天，保利协鑫首席执行官朱战军在一个推介铸锭单晶的内部会议上，承诺保利协鑫的铸锭单晶产品鑫单晶G3，相比同期直拉单晶产品，保持一定
公司自有的高拉速、超大投料直拉单晶工艺等技术，并选用国内技术领先的全自动单晶炉等设备进行生产，预计在单晶硅片少子寿命、光致衰减等单晶硅棒的关键性能指标方面获得竞争优势。 近年来，公司一方面优化技术团队
