直拉

划分。而单晶长晶采用直拉法对设备配件提出很高的要求，除了要求设备具备耐热性和较长的使用寿命外，也要求配件具备极高的耐腐蚀性和极高的材料纯度;另一方面随着目前对高效电池片和组件的需求，对单晶硅片要求也

直拉单晶组件产品相媲美。根据协鑫集成及阿特斯铸锭单晶系列产品实证电站发布的数据显示，在电站装机容量、安装地点和安装方式相同的条件下，铸锭单晶产品单瓦发电量高于常规多晶组件及直拉单晶组件。协鑫集成王国峰
博士展示的半年以来铸锭单晶实证基地数据，在不同地面、光照条件下，其增发比例有所不同。光照较好的地区，铸锭单晶较直拉单晶单瓦发电量甚至可以高出3%以上，充分说明铸锭单晶在光致衰减及发电稳定性方面的优势

，直拉法或者区熔法来做，太阳能级硅有6到7个9，半导体级硅达到9个9甚至更高的高度。半导体级硅可以看到从6英寸、8英寸、12英寸、18英寸，现在我们知道现在投资的热点是12英寸，其实12英寸在国际上

进行了钝化，使组件具有更好的弱光发电性能。邢国强表示，铸锭多晶比直拉单晶耗电量更低，因此P5有着更低的碳足迹。目前，阿特斯BiHiKu(双面霹雳波)、BiKu(酷双面)、HiKu(霹雳波)、Ku(酷)等

研发的高拉速、超大投料直拉单晶工艺，配套全自动单晶生长控制平台，并结合全球领先的金刚线切片工艺，借助宁夏银川充足的低成本电力资源，形成年产 15GW 单晶硅棒、硅片的产能目标。 (2)建设内容拟

技术的铸锭单晶硅片氧含量约为直拉单晶硅片的40%，光致衰减(LID,LeTID)与常规多晶相当(约0.8%)，比直拉单晶产品低0.5%以上，长期发电量更高。 二是更美外观。铸锭单晶电池采用湿法黑硅技术
，可基本消除晶花问题，外观比带缺角的直拉单晶组件还要漂亮。 三是更高效率。叠加PERC技术后，铸锭单晶与直拉单晶效率差仅为0.18%;对应的72片全档位型号上与直拉单晶组件比功率差小于5Wp;采用

、低衰减的铸锭单晶。 协鑫集成团队递交了一份最强发电能力的组件方案：采用铸锭单晶高效组件，效率可以做到与直拉单晶同一档位，同时方片表面积增加，以及更低的衰减，单块组件发电能力优于直拉单晶组件，是目前
，功率线性衰减保证,每年衰减小于0.6%。目前，直拉单晶组件的首年功率衰减为3%，剩余年限内功率衰减线性保证为每年0.7%。按照以光伏组件25年承诺最低使用寿命计算，铸锭单晶组件比直拉单晶组件为广大

。 硅片:金刚线切割渗透接近尾声 硅片的工艺分为两个方面: 一是长晶工艺，包括单晶硅的直拉法和多晶硅的铸锭法，对应设备分别为单晶硅生长炉和多晶硅铸锭炉。 二是切片环节，目前主要采取金刚线切割的方式

熔化提纯法(FZ)、直拉单晶法(CZ)、定向凝固多晶硅锭法(铸造法)，等等。目前最为成熟的多晶硅提纯工艺是西门子法，全球80%以上的多晶硅产量采用改良的西门子法生产。 2.晶体硅锭/硅片生产和切割技术

，MBB+PERC+SE同工艺情况下，铸锭单晶较直拉单晶22.2%效率相差0.20%。组件功率输出也更高，采用常规72全片版型，拥有与单晶相比毫不逊色的组件功率，相比156.75倒角单晶，铸锭直角结构为
组件带来更多3.14% 的有效面积，158.75mm尺寸硅片铸锭单晶72片组件功率输出以380Wp为主，与158.75mm尺寸直拉单晶全方片相同PERC电池工艺72片组件相比，差距5Wp以内。 在