电池背膜

Vangtuard I，体装式结构，单晶Si衬底，效率约10%（28℃）。到了1970年代，人们改善了电池结构，采用BSF、光刻技术及更好减反射膜等技术，使电池的效率增加到14%。在70年代和80年代

透明导电薄膜，使用倍频（532nm）YAG：Nd激光刻划系统刻划硫化镉/碲化镉膜层和金属背电极。激光刻划系统有两种，其一是移动样品实现激光刻划，其二是样品固定激光头移动实现激光刻划。前者受微动台的限制
进一步延长腐蚀。磷硝酸溶液沿晶界的择优腐蚀较为严重，容易在沉积背电极后形成局部的短路漏电通道。使用硝酸-冰乙酸溶液可以进一步减轻晶体择优腐蚀程度，获得更好的膜面腐蚀效果。 图

硅电池研究中，人们探索各种各样的电池结构和技术来改进电池性能，如背表面场，浅结，绒面，氧化膜钝化，Ti／Pd金属化电极和减反射
里，硅太阳电池在空间应用不断扩大，工艺不断改进，电他设计逐步定型。这是硅太阳电池发展的第一个时期。第二个时期开始于70年代初，在这个时期背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造

：① 单双层减反射膜；②激光刻槽埋藏栅线技术；③绒面技术；④背点接触电极克服表面栅线遮光问题；⑤高效背反射器技术；⑥光吸收技术。随着这些新技术的应用，发明了不少新的电池种类，极大地提高了太阳能电池的

作用。前电极采用光刻栅线的方法在ＳＩＯ２膜上开出电极栅线条，再用热蒸发法制备ＴＩ／ＰＤ／ＡＧ电极。在衬底的背面蒸镀ＡＬ或ＴＩ／ＰＤ／ＡＧ，得到背电极。用这种方法得到的硅薄膜电池的效率已达到12.11

，消除氧的吸附作用，降低了电阻率，因此热处理不但有效地滤掉了薄膜内部的氧，而且有利于膜在优势晶向上长大。 1.4 CdS薄膜和Cu2S/CdS太阳电池的制备方法 1.4.1喷涂法 60
，窗口效应的利用等是影响电池性能的主要因素。 为了制备太阳电池，在CdS膜表面喷涂转型物质，如含Cu+的氯化亚铜溶液，或采用常规浸泡工艺，使之形成一定厚度的Cu2S层，并经热扩散等工艺和喷涂金属

设计制造，可以较方便地制作出适合不同需求的多品种产品。由于光吸收系数高，晴电导很低，适合制作室内用的微低功耗电源，如手表电池、计算器电池等。由于aSi膜的硅网结构力学性能结实，适合在柔性的衬底上制作

，人们探索各种各样的电池结构和技术来改进电池性能，如背表面场，浅结，绒面，氧化膜钝化，Ti／Pd金属化电极和减反射膜等。后来的高效电池是在这些早期实验和理论基础上的发展起来的。1．2．1单晶硅高效电池

电池种类 转换效率（％） 研制单位 备注*j 单晶硅电池 24.7±0.5 澳大利亚新南威尔士大学 4cm2面积 背接触

多晶硅薄膜太阳电池，结构为背电极/衬底/制有P-N结的多晶硅薄膜/栅状上电极，在电池入射光表面有氮化硅减反射膜，其特征在于：在衬底和制有P-N结的多晶硅薄膜之间还有重掺P
申请专利号 200610117155.9 专利申请日 2006.10.13 名称 廉价多晶硅薄膜太阳电池 公开（公告）号 CN1933185 公开（公告